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公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括底部衬底、底部衬底上的突出结构、突出结构的侧表面和上表面上的多孔膜以及突出结构的侧表面的至少一部分与多孔膜之间的空气间隙。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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