一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备技术

本发明专利技术公开一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备，涉及集成电路制造技术领域，以采用含钴材料作为扩散阻挡层，降低导电互连结构的总电阻，提升导电互连结构的电传输特性。所述电子器件包括：衬底、形成在衬底上方的至少一层介电层以及至少一个导电互连结构。每层介电层开设至少一个互连过孔。至少一个互连过孔被至少一个导电互连结构一一对应贯穿。每个导电互连结构包括沿着互连过孔的孔深减小方向分布的扩散阻挡层和导电层。扩散阻挡层内含有钴材料。所述电子器件的制作方法应用于制作电子器件，所述电子器件应用于集成电路和电子设备中。

An electronic device and its manufacturing method, integrated circuit and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备
本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备。
技术介绍
半导体中段(MiddleEndoftheLine，缩写为MEOL)与后段(BackEndoftheLine，缩写为BEOL)工艺制程中，包括导电层的形成，以及在晶圆上不同层导电层间金属连线、接触孔的形成等。其中，导电互连结构是为了实现半导体芯片器件之间的电连接的重要结构。制作导电互连结构时，多使用Cu作为导电层，Ta/TaN或Ti/TiN作为衬垫层/阻挡层，从而保证Cu在高深宽比通孔中能无孔隙生长、台阶覆盖性良好以及阻挡Cu离子向介质层中扩散，提高器件的可靠性和电迁移特性。但是随着器件特征尺寸的缩小，由于电子散射和晶粒边界散射，导电层的电阻率会急剧增加，严重制约了器件性能提升。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备，以降低导电互连结构的总电阻，提升导电互连结构的电传输特性。为了达到上述目的，本专利技术提供一种电子器件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n形成在衬底上方的至少一层介电层；每层所述介电层开设至少一个互连过孔；/n以及至少一个导电互连结构；至少一个所述互连过孔被至少一个所述导电互连结构一一对应贯穿；每个所述导电互连结构包括沿着所述互连过孔的孔深减小方向分布的扩散阻挡层和导电层；所述扩散阻挡层内含有钴材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：
衬底；
形成在衬底上方的至少一层介电层；每层所述介电层开设至少一个互连过孔；
以及至少一个导电互连结构；至少一个所述互连过孔被至少一个所述导电互连结构一一对应贯穿；每个所述导电互连结构包括沿着所述互连过孔的孔深减小方向分布的扩散阻挡层和导电层；所述扩散阻挡层内含有钴材料。


2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述钴材料为钴基合金和/或钴金属。


3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述钴基合金所含有的杂金属原子百分比含量为20％～50％。


4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述导电互连结构还包括浸润层，所述浸润层位于所述导电层和所述扩散阻挡层之间；所述浸润层含有钴材料。


5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述扩散阻挡层为钴基合金，所述浸润层为钴金属。


6.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述扩散阻挡层背离所述导电层与所述互连过孔的内壁接触。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的电子器件，其特征在于，所述导电层包括Cu、W、Co中的任一种或者几种的组合。


8.一种电子器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成至少一层介电层；在每层所述介电层上开...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丹，罗军，都安彦，高建峰，赵超，杨红，王文武，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11