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本发明公开一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备，涉及集成电路制造技术领域，以采用含钴材料作为扩散阻挡层，降低导电互连结构的总电阻，提升导电互连结构的电传输特性。所述电子器件包括：衬底、形成在衬底上方的至少一层介电层以及至少一个导电互...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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