半导体结构、测试垫结构及其制造方法技术

本公开提出一种半导体结构、测试垫结构及测试垫结构的制造方法，涉及半导体技术领域。该测试垫结构包括钝化层、介电层、通孔和测试垫。介电层，设置于所述钝化层的一侧，包括重布线层和导电体，所述重布线层具有测试部，所述导电体位于所述重布线层远离所述钝化层的一侧，且与所述测试部正对设置；通孔，穿过所述钝化层和所述测试部，并露出所述导电体，所述测试部的部分区域延伸至所述通孔内；测试垫，填充于所述通孔，且具有第一端和第二端，所述第一端与所述导电体连接，所述第二端凸出于所述钝化层。本公开的测试垫结构可提高导电能力，且便于测试。

Semiconductor structure, test pad structure and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体结构、测试垫结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构、测试垫结构及测试垫结构的制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，集成电路(IntegratedCircuit，IC)元件封装处理也成了关注的重点。为了保证芯片可靠性，通常需要对半导体器件进行检测，为了便于与检测装置连接，半导体器件中一般具有测试垫，检测装置可通过测试垫对半导体器件的性能进行检测。现有技术中，测试垫的表面低于钝化层的表面，致使测试不便，需要额外增加测试垫，以保证测试顺利进行；同时，现有技术中，重布线层与测试垫的接触面较小，导电能力较弱。所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种半导体结构、测试垫结构及测试垫结构的制造方法，可提高提高导电能力，且便于测试。根据本公开的一个方面，提供一种测试垫结构，包括：钝化层；介电层，设置于所述钝化层的一侧，包括重布本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试垫结构，其特征在于，包括：/n钝化层；/n介电层，设置于所述钝化层的一侧，包括重布线层和导电体，所述重布线层具有测试部，所述导电体位于所述重布线层远离所述钝化层的一侧，且与所述测试部正对设置；/n通孔，穿过所述钝化层和所述测试部，并露出所述导电体，所述测试部的部分区域延伸至所述通孔内；/n测试垫，填充于所述通孔，且具有第一端和第二端，所述第一端与所述导电体连接，所述第二端凸出于所述钝化层。/n

【技术特征摘要】
1.一种测试垫结构，其特征在于，包括：
钝化层；
介电层，设置于所述钝化层的一侧，包括重布线层和导电体，所述重布线层具有测试部，所述导电体位于所述重布线层远离所述钝化层的一侧，且与所述测试部正对设置；
通孔，穿过所述钝化层和所述测试部，并露出所述导电体，所述测试部的部分区域延伸至所述通孔内；
测试垫，填充于所述通孔，且具有第一端和第二端，所述第一端与所述导电体连接，所述第二端凸出于所述钝化层。


2.根据权利要求1所述的测试垫结构，其特征在于，所述通孔包括多个依次对接的孔段，多个所述孔段至少包括：
第一孔段，位于所述导电体和所述测试部之间，且露出所述导电体；
第二孔段，位于所述测试部，且与所述第一孔段对接；
第三孔段，位于所述测试部远离所述导电体的一侧，且与所述第二孔段对接；
所述第一孔段和所述第三孔段中至少一个的孔径大于所述第二孔段的孔径。


3.根据权利要求2所述的测试垫结构，其特征在于，所述第一孔段和所述第三孔段的孔径均大于所述第二孔段的孔径，且所述第三孔段的孔径大于所述第一孔段的孔径。


4.根据权利要求1所述的测试垫结构，其特征在于，所述多个依次对接的孔段还包括：
第四孔段，位于所述钝化层，且一端与所述第三孔段对接，另一端位于所述钝化层远离所述介电层的表面，所述第四孔段的孔径大于所述第三孔段的孔径。


5.根据权利要求1所述的测试垫结构，其特征在于，所述测试垫的第二端的外径大于所述通孔的孔径。


6.根据权利要求1所述的测试垫结构，其特征在于，所述重布线层的材料包括铝、钨、铜和钛中至少一种。


7.根据权利要求1所述的测试垫结构，其特征在于，所述测试垫的材料为锡、铜、镍和金中至少一种。


8.一种测试垫结构的制造方法，其特征在于，包括：
形成介电层，所述介电层具有重布线层和导电体，所述重布线层具有测试部；
形成覆盖所述介电层的钝化层，所述导电体位于所述重布线层远离所述钝化层的一侧，且与所述测试部正对设置；
形成通...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，许緁娗，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34