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半导体结构及其制备方法技术
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文档序号:24803040
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本公开提供一种半导体结构及其制备方法,该半导体结构包括一基底;一第一导线及一第二导线,配置在该基底上;一第一介电层,配置在该基底上并围绕该第一导线及该第二导线设置;一第一导电通孔,延伸经过该第一介电层并接触该第一导线;一第三导线,配置该第一...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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