本发明公开了一种制造半导体结构的方法，包括在基板上形成前驱结构。前驱结构依序在基板上包括第一导电结构、第一间隔物层和间隔氧化物层。间隔氧化物层暴露第一间隔物层的顶表面。随后使间隔氧化物层凹陷。形成第二间隔物层以覆盖间隔氧化物层和第一间隔...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含第一半导体晶圆、第二半导体晶圆以及第一导电通道。第一半导体晶圆包含第一基板以及设置在第一基板的顶面的至少一个第一导电层。第二半导体晶圆设置在第一半导体晶圆上。第二半导体晶圆包含第二基...

本公开提供一种具有内埋Σ形结构的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一半导体基板、一半导体鳍片、以及一经填充的沟槽。该半导体鳍片从该半导体基板向上延伸。该经填充的沟槽形成于该半导体鳍片中且包括一第一Σ部分、一第二Σ部分、以及一中间部...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底；一漏极，配置在该基底中；一漏极接触点，配置在该漏极中；一源极，配置在该基底中；一源极接触点，配置在该源极中；一栅极结构，配置在该漏极与该源极之间，具有一底部；一通道，配置在该...

本公开提供一种具有空气间隔物的半导体元件及其制造方法。该制造方法包括形成一第一导电层于一基板之上；形成一第一介电结构于该第一导电层之上；将该第一导电层的一侧壁部分转换为一第一转换部分；移除该第一转换部分，使得该第一介电结构的宽度大于该第...

本公开提供一种具有气隙介电质的半导体结构及其制备方法。该方法包括形成一导电柱于一基板之上；形成一介电盖于该导电柱之上；将该导电柱的一侧壁部分转换为一第一介电部分；以及移除该第一介电部分，使得该介电盖的宽度大于该导电柱的剩余部分的宽度。大...

本公开提供一种具有气隙结构的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一位元线，设置于一半导体基板之上。该半导体元件另包括一电容接触和一介电结构，设置于该半导体基板之上且邻近该第一位元线。该电容接触、该介电结构和该第一位元线通过一气隙...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括接合的第一部件及第二部件。第一部件包括第一介电层、第一导电结构及第一填充材料层。第一导电结构位于第一介电层中且包括第一导电线及其上的第一导电衬垫。第一填充材料层位于第一导电线上且围绕...

本发明公开了一种互连结构，包括第一和第二绝缘层、第一和第二导线、以及第一、第二和第三导电通孔。第二绝缘层设置在第一绝缘层上。包括第一和第二部分的第一导线，以及第一、第二和第三导电通孔嵌入第一绝缘层中。包括第三部分和第四部分的第二导线嵌入...

本发明公开了一种晶圆清洗装置及其操作方法，晶圆清洗装置包含旋转基底、第一手臂以及第二手臂。旋转基底用以支撑晶圆。第一手臂位于旋转基底上方并用以供给化学溶剂。第二手臂可移动地位于旋转基底上方。其中当第一手臂非正常地停止供给化学溶剂时，第二...

本公开提供一种具有气隙介电质的半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基层、多个条导线、多个介电柱、以及具有多个密封盖的一密封层。所述多个导线位于该基层上。所述多个介电柱位于该基层上，且与所述多个导线分离。所述多个密封盖位于所述多个导...

本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板、埋藏在该基板中的多个第一位元线接触、分别相应地定位在所述多个第一位元线接触上的多个第一位元线、以及定位在该基板上方的多个第二位元线。所述多个第二位元线的底表面定位在比所述多个...

本公开提供一种导电通孔的制备方法。该制备方法包括形成一第一导电结构于一基板之上；形成一第一介电结构于该第一导电结构之上；将该第一导电结构的一侧壁部分转换为一第一介电部分；以及移除该第一介电部分，使得该第一介电结构的宽度大于该第一导电结构...

本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一半导体基底、至少一半导体元件、一第一穿基底通孔、一隔离层、一遮蔽层以及一第二穿基底通孔。该基底具有一前表面以及一后表面。该第一穿基底通孔设置在该基底中。该隔离层围绕该第一穿基底通孔设置。该遮蔽...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该制备方法包括：提供一基底；在该基底上方形成一生长基膜；在该生长基膜中形成多个掺杂段以及多个未掺杂段；在所述多个未掺杂段上选择地形成多个隔离段；移除所述多个掺杂段；以及在该基底上方形成多个电容结构。...

本公开提供一种半导体存储器结构及其制备方法。该半导体存储器结构具有一基底、一栅极结构、一漏极应力源以及一源极应力源。该栅极结构设置在该基底中。该源极应力源与该漏极应力源均具有一应变部，该应变部设置在该基底中。中。中。

本公开提供一种半导体元件及其制备方法，更具体地涉及一种具有空气间隔的半导体元件及其制造方法。该制备方法包括在一基底上方形成一第一导电结构；在该第一导电结构上方形成一介电结构；将该第一导电结构的一侧壁部分转变成一第一介电部分；移除该第一介...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底、一第一漏极应力源、一第一源极应力源、一埋入式栅极结构、一第二漏极应力源、一第二源极应力源以及一平面栅极结构。该基底具有一图案密集区以及一图案稀疏区。该第一漏极应力源设置在该图...

本公开提供一种半导体元件结构的制备方法，更具体地涉及一种具有环状半导体鳍片的半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括在一基底上形成一环形结构；执行一蚀刻制程以在该环形结构下方形成一环状半导体鳍片；在该基底通过该该环状半导体鳍片而暴露的一...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体基板、屏蔽结构、接地端以及硅通孔。遮蔽结构位于半导体基板上，且屏蔽结构包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层。第一金属层位于半导体基板上。第二金属层位于第一金属层上。第三金属...