本公开提供一种半导体元件，其具有一边缘保护间隙子。其中该边缘保护间隙子位于一接合垫上。该半导体元件具有一接合垫，设置在一半导体基底上；一第一间隙子，设置在该接合垫的一顶表面上；一介电衬垫，设置在该第一间隙子与该接合垫之间；一介电层，位于...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件具有一接合垫、一第一间隙子、一第二间隙子以及一介电层。该接合垫设置在一半导体基底上。该第一间隙子设置在该接合垫的一顶表面上。该第二间隙子设置在该接合垫的一侧壁上。该介电层位于该接合垫与该半导体基底之...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一垫结构以及一上凹槽，该垫结构位在该基底上，该上凹槽位在该垫结构的一顶表面上。该半导体元件的该制备方法包括形成一垫结构在一基底上以及形成一上凹槽在该垫结构的一顶表...

本发明提供一种重布线层结构，包括第一接垫、第二接垫、第三接垫、第四接垫、第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件与第四开关元件。第一接垫、第二接垫、第三接垫与第四接垫彼此分离。第一开关元件包括彼此分离的第一导体层与第二导体层。第二开关元...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一第一半导体单元、一第二半导体单元以及一第三半导体单元，该第一半导体单元剧有一第一临界电压并包括在该基底中的一第一隔离堆叠，该第二半导体单元具有一第二临界电压并包...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括一对主动区、第一隔离结构、栅极结构以及一对接触件。第一隔离结构位于一对主动区之间。栅极结构位于第一隔离结构上。一对接触件分别位于一对主动区上，其中一对接触件的每一个具有底表面与侧壁，...

本公开提供一种测试治具及测试组件，其中测试治具用于支承一待测元件。该测试治具包括一基部、一框架、一凹陷部、多组电接触点以及多个电线。该框架沿着该基部的一上表面的一外周围朝上延伸。该框架与该基部的该上表面围绕该凹陷部设置，且该待测元件容置...

本公开提供一种测试治具及测试组件。该测试治具包括一载体、多组电接触点以及多个电线。该载体具有一基部以及一框架，该框架沿着该基部的一上表面延伸。该基部与该框架界定出一第一凹处、一第二凹处以及一第三凹处，该第二凹处从该第一凹处纵向延伸，该第...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一埋入字元线、一堆叠纳米线结构、一第一源极/漏极区与一第二源极/漏极区，以及一位元线接触点与一电容接触点，该埋入字元线为在一基底中并沿一第一方向延伸，该第一源极/漏极区与该第二源极/...

本公开提供一种晶粒组件及其制备方法。该晶粒组件包括堆叠在一起的第一晶粒、第二晶粒、和第三晶粒。该第一晶粒包括多个第一金属线，其面对该第二晶粒的多个第二金属线，以及位于所述多个第二金属线之下的第二基板，其面对该第三晶粒的多个第三金属线。该...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一本质导电垫、一应力释放结构以及一外部接合结构；该本质导电垫位于该基底上；该应力释放结构位于该基底上，并远离该本质导电垫设置；该外部接合结构直接位于该应力释放结构上。

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，具有多个接触点；多个栓塞，设置在该多个接触点上；多个金属间隙子，设置在该多个栓塞上；以及多个气隙，分别设置在该多个金属间隙子之间。

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括第一芯片、第二芯片及第一导电通孔。第一芯片包括第一介电层和嵌入在第一介电层中的第一着陆垫。第二芯片包括第二介电层和嵌入在第二介电层中的第二着陆垫。第一芯片设置在第二芯片上。第二着陆垫...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体部件、一重布线层、一接合介电质以及一隔离层。该重布线层设置在该半导体部件上，并电性耦接到该半导体部件。该接合介电质设置在该半导体部件上，以围绕该重布线层的一顶部。该隔离层设置...

本发明公开了一种半导体结构，包含接合的第一部件及第二部件。第一部件包含第一层间介电层、第一互连结构、第一密封环及第一接合层。第一互连结构位于第一层间介电层中，并被第一密封环包围。第一接合层覆盖第一层间介电层和第一互连结构，并具有一部分围...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括主动区、隔离结构、第一栅极结构以及第二栅极结构。主动区设置于半导体基板上，且主动区具有第一部分、第二部分及第三部分，第三部分位于第一部分与第二部分之间。在俯视图中，第一部分的形状与第...

本发明公开了一种半导体结构的制造方法，包含形成前驱结构，前驱结构包含多个导电垫位于基板上，蚀刻停止层位于导电垫之间，以及凸块下金属层，位于导电垫及蚀刻停止层之上。形成多个掩模结构位于凸块下金属层之上，以及多个开口位于掩模结构之间。每个掩...

本发明公开了一种形成可灰化硬遮罩的方法及图案化方法。形成可灰化硬遮罩的方法包括(i)提供标的层；(ii)在标的层上沉积初始硬遮罩层；(iii)在400至700℃的植入温度下，将碳原子植入初始硬遮罩层中以形成可灰化硬遮罩，其中可灰化硬遮罩...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板以及一第一裂缝检测结构，其位于该基板中且包括一第一电容单元。该第一电容单元包括位于该基板中的一第一底部导电层、围绕该第一底部导电层的一第一电容绝缘层、和围绕该第一电容绝缘层的一...

一种反熔丝元件，具有一导电区、一介电层、一第一导电栓、一第二导电栓、一第一导电组件以及一第二导电组件；该导电区形成在一半导体基底中，并在一第一方向延伸；该介电层形成在该导电区的一部分上；该第一导电栓形成在该介电层上；该第二导电栓形成在该...