形成可灰化硬遮罩的方法及图案化方法技术

本发明专利技术公开了一种形成可灰化硬遮罩的方法及图案化方法。形成可灰化硬遮罩的方法包括(i)提供标的层；(ii)在标的层上沉积初始硬遮罩层；(iii)在400至700℃的植入温度下，将碳原子植入初始硬遮罩层中以形成可灰化硬遮罩，其中可灰化硬遮罩中的植入剂量浓度为10

【技术实现步骤摘要】
形成可灰化硬遮罩的方法及图案化方法


[0001]本专利技术是关于一种形成可灰化硬遮罩的方法及图案化方法。

技术介绍

[0002]硬遮罩常用于半导体装置的制造过程中。半导体装置中的图案化特征的图案晃动现象(pattern wiggling phenomenon)是不利的，尤其是当半导体装置的特征尺寸缩小到100nm以下时。为了获得良好的线条图案，需要解决上述图案晃动现象的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种形成可灰化硬遮罩的方法，可以有效地避免图案化标的层出现图案晃动现象。
[0004]本专利技术提供一种形成可灰化硬遮罩的方法，包含(i)提供标的层；(ii)在标的层上沉积初始硬遮罩层；以及(iii)在400至700℃的植入温度下，将碳原子植入初始硬遮罩层以形成可灰化硬遮罩，其中可灰化硬遮罩中的植入剂量浓度为10
14
至10
16
ion/cm2。
[0005]在本专利技术的一实施方式中，在步骤(ii)之前，还包含刷洗(scrubbing)标的层。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成可灰化硬遮罩的方法，其特征在于，包含：(i)提供标的层；(ii)在所述标的层上沉积初始硬遮罩层；以及(iii)在400至700℃的植入温度下，将多个碳原子植入所述初始硬遮罩层以形成可灰化硬遮罩，其中所述可灰化硬遮罩中的植入剂量浓度为10
14
至10
16
ion/cm2。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(ii)之前，还包含刷洗所述标的层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(ii)之后及步骤(iii)之前，还包含在所述初始硬遮罩层上执行斜边蚀刻。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行步骤(iii)的植入剂量能量为10至50keV。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述植入温度为500至600℃。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(ii)包括暴露所述标的层于前驱物气体，所述前驱物气体包含C
x
H
y
基底气体。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述前驱物气体包含C3H6。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始硬遮罩层包含碳基材料。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述标的层包含氮化物或氧化物。10.一种图案化方...

【专利技术属性】
技术研发人员：方伟权，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：