本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，存储器装置包含多个数据接收器、多个电压产生器以及至少一个通道门。多个数据接收器包含第一数据接收器。多个电压产生器耦接至数据接收器，且包含第一电压产生器，其中第一电压产生器用以产生用于驱动第一数据接...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包含基板、第一字线结构、第二字线结构、第三字线结构、以及第四字线结构。基板具有被隔离结构围绕的主动区。第一字线结构及第二字线结构设置在主动区中并彼此分离。第三字线结构及第四字线结构设置在...

本发明公开了一种半导体封装及其制造方法，半导体封装包括基板及设置于其上的半导体芯片。基板包括多个第一连接垫及与多个第二连接垫与半导体芯片的第一边缘相邻，以及多个第三连接垫及多个第四连接垫与第二边缘相邻，且第二边缘与第一边缘相对。半导体芯...

本发明公开了一种研磨输送设备，被配制成提供研磨浆料及清洗剂至研磨垫，且研磨输送设备包括输送臂、至少一个第一喷嘴、以及至少一个第二喷嘴。输送臂可旋转地连接研磨垫，且具有背对研磨垫的弧形顶面、背对弧形顶面的底面以及由底面内缩的凹槽。第一喷嘴...

本公开提供一种具有递变多孔介电结构的半导体元件。该半导体元件具有一基底、二导电特征、一递变多孔介电结构以及一介电层；该二导电特征相互远离设置，并位于该基底上；该递变多孔介电结构位于该二导电特征之间；该介电层位于其中一个导电特征与该递变多...

本公开提供一种半导体元件，是具有一多孔介电结构以降低导电特征之间的电容耦合。该半导体元件具有一基底、一栅极结构、二源极/漏极区、二多孔间隙子、一多孔盖层以及一隔离层；该栅极结构位在该基底上；该二源极/漏极区位在邻近该栅极结构的两侧处；该...

本发明提供一种具静电放电防护的金属芯片的IC封装结构，包括：一具有电源连接线及接地连接线的印刷电路板；一功能性芯片；一金属芯片，附接于该功能性芯片并且电气绝缘于该功能性芯片，其中该金属芯片包含一金属层及位于该金属层下方的一仿芯片，该金属...

本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构具有一第一导电结构与一第二导电结构、一第一导电栓塞与一第二导电栓塞、一第一间隙子、一蚀刻终止层以及一第一层间介电层，该第一导电结构与该第二导电结构设置在一半导体基底上的不同垂直高度处，该第一...

本公开提供一种半导体组装结构及其制备方法。该半导体组装结构具有一第一元件、一第二元件以及一内连接结构，该内连接结构经配置以电性耦接该第一元件与该第二元件。该第二元件堆叠在该第一元件上。该内连接结构具有一第一脚部、第二脚部以及一交叉组件，...

本申请提供一种半导体元件、该半导体元件的制备方法以及半导体元件组装结构的制备方法。该半导体元件具有一基底、一接合介电质、一第一导电特征、一气隙以及一第二导电特征。该接合介电质设置在该基底上。该第一导电特征设置在该接合介电质中。该气隙设置...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法的步骤包括：产生至少一沟槽在一基底中；形成一介电膜在该沟槽中的该基底上；沉积一第一导电层在该介电膜上以部分充填该沟槽；沉积一隔离膜在该第一导电层上；沉积一第二导电层以埋藏该隔离膜；以及凹陷该...

本公开提供一种晶片测试系统及其方法。该测试系统包括一探针装置、一数据服务器、一自动化子系统以及一探针刮痕估计子系统。该探针装置具有一探针卡、一测试器以及一相机。该探针卡具有多个探针引脚，用以接触在该晶片中的多个测试垫，而该相机获取所述多...

本公开提供一种具有一氧化中介层的半导体元件及该半导体元件的制备方法，特别涉及具有侧壁氧化介电质的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一穿隧隔离层、一浮置栅极、一侧向样化中介层以及一控制栅极，该穿隧隔离层设置在该基底上，该浮置...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、二导电特征以及一多孔中间层，该二导电特征相互远离设置并位在该基底上，该多孔中间层位在该二导电特征之间，并邻近该二导电特征设置。该多孔中间层的一孔隙率介于25％到1...

提供一种双面晶圆成像装置及其方法。双面晶圆成像装置包括一或多个装载端、一或多个机械手臂、一晶圆输送载台、一第一线扫描相机、一第二线扫描相机、一第一光学镜片、一第二光学镜片以及多个线光源。装载端经配置以用于一自动搬运装置的一晶圆盒的一自动...

本公开提供一种具有内凹式存取装置的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一栅极电极以及多个杂质区。该基底具有一埋入层。该栅极电极设置在该基底中，并穿经该埋入层。该多个杂质区设置在该基底中，并在该栅极电极的任一侧。

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括半导体集成电路装置与重分布层结构。半导体集成电路装置具有顶面与延伸至顶面的电极。重分布层结构形成于半导体集成电路装置的顶面上。重分布层结构包括氧化层、氮化层、介电层、凹槽与穿孔。氧化...

本公开提供一种延迟锁定回路、存储器元件以及该延迟回路的操作方法，该延迟锁定回路具有一延迟线以及一控制单元。该延迟线用于延迟一输入信号以产生一第一延迟信号。该控制单元接收该输入信号、一存取开始信号以及一存取结束信号，并用于依据该输入信号、...

本发明公开了一种芯片外驱动电路和信号补偿方法，芯片外驱动电路包含判别电路、第一补偿电路、第二补偿电路、上拉电路以及下拉电路。判别电路用以根据时脉信号和输入数据输出第一判别信号和第二判别信号。第一补偿电路耦接至判别电路，并用以响应于第一判...

本发明公开了一种半导体结构，包括半导体晶圆，具有顶侧与背侧。半导体晶圆包括第一导电类型的第一半导体井、第二导电类型的第二半导体井、半导体装置、第一导电类型的多个第一半导体掺杂区域与多个第一硅穿孔(through silicon via,...