本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一鳍件，位在该基底上；一栅极结构，位在该鳍件上；一对源极/漏极区，位在该鳍件的两侧上；以及一磁性存储结构，位在该漏极区上并邻近该栅极结构；其中，该存储结构包含一下...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一鳍件、一栅极结构、一对源极/漏极区、一介电层以及一存储导电层，该鳍件位在该基底上，该栅极结构位在该鳍件上，该对源极/漏极区位在该鳍件的两侧上，该介电层位在该漏极...

本公开提供一种半导体制造设备的控制系统及方法。该系统具有一检查单元、一感测器接口以及一控制单元，该检查单元撷取一晶圆的至少一影像，该感测器接口产生至少一输入信号给一数据库服务器。该控制单元具有一前端子系统、一计算系统以及一信息暨调整子系...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一内连接结构，设置在一第一半导体晶粒上。该第一半导体晶粒具有一半导体基底以及一第一导电垫，该第一导电垫设置在该半导体基底上，且该第一导电垫被该内连接结构所覆盖。该半导体元件亦具有多个...

本公开提供一种半导体制造设备的控制系统及方法。该控制系统具有一感测器、一感测器接口以及一分析单元。该感测器提供一感测信号。该感测器接口接收该感测信号，并产生用于一数据库服务器的一输入信号。一前端子系统接收来自该数据库服务器的该输入信号，...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一半导体结构；一第一连接结构，包括一第一连接隔离层、多个第一连接接触点以及多个第一支撑接触点，该第一连接隔离层位在该第一半导体结构上，该多个第一连接接触点位在该第一连接隔离层中，...

本公开提供一种半导体元件，包括一第一半导体结构、一第一连接结构、一第二连接结构以及一第二半导体结构；该第一连接结构包括一第一连接隔离层、多个第一连接接触点以及多个第一支撑接触点，该第一连接隔离层位于该第一半导体结构上，该多个第一连接接触...

本公开提供一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括：一隔离结构，设置于一半导体基板中；一栅极电极和一电阻电极，设置于该半导体基板中，其中该隔离结构设置于该栅极电极和该电阻电极之间，且该隔离结构离该电阻电极比离该栅极电极更近。一源/漏...

本发明公开了一种半导体封装及其制造方法，半导体封装包含第一子封装及第二子封装。第一子封装堆叠于第二子封装上。第一子封装以及第二子封装各包含：至少二个第一半导体芯片、第二半导体芯片、多个塑模件、焊垫层、多个重分布层、以及多个凸块。第一子封...

本公开提供一种半导体封装结构及其制备方法。该半导体封装结构具有一封装基底、一下元件晶粒、一夹层封装基底以及一上元件晶粒。该下元件晶粒接合到该封装基底。该夹层封装基底位在该下元件晶粒上，并接合到该封装基底。该上元件晶粒接合到该夹层封装基底...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一第一隔离层、一第二隔离层、多个第一导电特征以及一调和结构，该第一隔离层位在该基底上，该第二隔离层位在该第一隔离层上，该多个第一导电特征位在该第一隔离层与该第二隔离层中，该调...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一半导体结构、一第二半导体结构以及一连接结构，该第一半导体结构具有多个第一导电特征，邻近该第一半导体结构的一上表面处设置，该第二半导体结构位在该第一半导体结构上，且具...

本公开涉及一种半导体元件结构及其形成方法。该半导体元件结构，包括：一隔离结构，设置于一半导体基板中；一栅极电极和一电阻电极，设置于该半导体基板中，其中该隔离结构设置于该栅极电极和该电阻电极之间，且该隔离结构离该电阻电极比离该栅极电极更近...

本公开提供一种半导体组装结构及其制备方法。该半导体组装结构具有一半导体元件、一块状半导体、一钝化层、至少一导电栓塞、多个保护衬垫以及多个绝缘衬垫。该块状半导体设置在该半导体元件上。该钝化层覆盖该块状半导体。该导电栓塞包括一第一块体以及一...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一半导体结构以及一第一连接结构，其中该第一连接结构具有一第一连接隔离层、两个第一导电层以及一第一多孔层，该第一连接隔离层位在该第一半导体结构上，该两个第一导电层位在该...

本公开提供一种半导体封装结构及其制备方法。该半导体封装结构具有一第一元件裸片、多个第一电连接件、一第二元件裸片以及多个第二电连接件。该第一元件裸片贴合到一封装基底。该第一元件裸片的一主动侧面朝该封装基底。多个第一电连接件连接该第一元件裸...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底以及一晶体管，该基底具有一第一区，该第一晶体管位于该第一区中。该第一晶体管具有一第一下栅极结构、一第一通道层、一第一上栅极结构以及两个第一源极/漏极区，该第一下栅极...

本发明公开了一种退化模拟模型建立方法，包括以下步骤：提供具源极与漏极的平面p型MOSFET。测量p型MOSFET的第一可靠度退化数据。针对p型MOSFET选择具有热载子感应穿通建模参数的模型，这些建模参数包括用于修正源极与漏极间模拟电流...

本发明公开了一种制造半导体结构的方法及半导体结构，制造半导体结构的方法包括：接收基板，其具有主动区及邻近主动区的非主动区；在基板的非主动区上形成蚀刻停止层，其中蚀刻停止层是无氧化物的；在蚀刻停止层上形成隔离物；去除主动区的一部分及隔离物...

本发明提供一种存储器结构，其包括具有存储器区与周边区的衬底、电容器阵列、晶体管阵列、多个位线以及多个触点。所述电容器阵列设置于所述存储器区中的所述衬底上。所述晶体管阵列设置于所述电容器阵列上，且与所述电容器阵列电性连接。所述多个位线沿行...