本公开提供一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构具有一第一晶圆、一第二晶圆、一接合介电质以及一导电通孔。该第一晶圆具有一第一基底、一第一介电层以及一第一导电垫；该第一介电层位在该第一基底上；该第一导电垫被该第一介电层所围绕。该第二晶圆...

本公开提供一种半导体制造设备的控制系统及其控制方法。该控制系统包括一感测器单元，经配置以取得该半导体制造设备中与一气压有关的一数据组，一感测器接口，经配置以接收该数据组且为一数据服务器产生至少一个输入信号，以及一控制单元。该控制单元包括...

本公开是关于一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一晶粒，一第二晶粒，一焊垫层，一填充层以及一阻挡层。该第二晶粒设置在该第一晶粒上。该焊垫层设置在该第一晶粒中。该填充层包括一上部及一凹陷部。该阻挡层设置在该第二晶料与该填充层的...

本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法，其是可避免微图案的塌陷。该半导体元件结构具有一第一目标结构以及一第二目标结构，设置在一半导体基底上。该半导体元件结构亦具有一第一氮化硼间隙子，设置在该第一目标结构上，其中在剖视图中，该第一氮化硼...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一通道区、多个第一杂质区、一栅极介电层、一栅极下导电层、多个第一接触点、多个可编程隔离层以及一上导电层；该通道区位在该基底中；所述杂质区位在该基底中，且分别位在该...

一种芯片外驱动系统包含决策电路、多个第一可调式增强电路、多个第二可调式增强电路、上拉电路以及下拉电路。决策电路依据频率信号以及输入信号输出第一以及第二决策信号。响应于第一以及第二决策信号以及其中一个第一选择信号，各第一可调式增强电路中分...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一上接触点、一上导电层、多个多孔隔离层、多个第一框架层以及一第二框架层；该上接触点位在该基底上；该上导电层位在该上接触点上；所述多孔隔离层位在该上接触点的两侧上；...

本发明公开了一种测试系统，用以测试待测装置，测试系统包括测试装置以及杂讯产生模块。测试装置耦接于待测装置，以形成耦接路径，并用以通过耦接路径输出测试信号至待测装置。杂讯产生模块耦接于待测装置与测试装置之间的耦接路径，并用以选择性地干扰测...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一单层连接结构以及一多层连接结构，该单层连接结构位在该基底上，该多层连接结构位在该基底上，并包括交错堆叠的多个第一导电层以及多个第二导电层。该多层连接结构的一上表...

一种制造半导体结构的方法，包括：根据硬遮罩蚀刻基板，以在基板内形成多个沟渠；对基板的该些沟渠进行氮化处理；用可流动隔离材料填充基板的该些沟渠；以及固化可流动隔离材料，以形成隔离材料。另提供一种通过上述方法制造而成的半导体结构。此方法包括...

本公开提供一种接地弹跳产生器，其包括电阻器以及和电阻器并联的至少一个开关。接地弹跳产生器位于受测装置电路中，其中受测装置电路包括电源、至少一个接地弹跳产生器、至少一个受测装置，以及接地。受测装置串联在电源和接地弹跳产生器之间。受测装置和...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底、一介电层、至少一主特征、至少一第一导电特征、至少一第一间隙子、多个第二导电特征以及多个第二间隙子。该介电层设置在该基底上。该主特征设置在该介电层中，并接触该基底。该第一导电特...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有气隙与氮化硼罩盖以降低在一图案密集区中的电容耦合。该半导体元件包括一第一导电特征以及一第二导电特征，是设置在一半导体基底的一图案密集区上。该半导体元件亦包括一第三导电特征以及一第四导...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体基底、一第一应力释放结构、一第二应力释放结构以及一导电结构；第一应力释放结构具有一第一导电框架以及多个第一隔离栓柱，第一导电框架位在半导体基底上，该多个第一隔离栓柱位在第一导...

本公开提供了一种半导体结构以及该半导体结构的制备方法。该半导体结构包括一基底、一顶部源极/漏极、一通道鳍片、一栅极结构、一顶部阴极/阳极和一垂直鳍片。该基底具有一底部源极/漏极和一底部阴极/阳极。该顶部源极/漏极设置在该基底的底部源极/...

本公开提供一种具有一石墨烯层的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一第一源极/漏极区以及一第二源极/漏极区，设置在一半导体基底中。该半导体元件亦具有一字元线结构，设置在该半导体基底中，且设置在该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区之...

本发明公开了一种电子模块，包括印刷电路板基板、控制基板、控制器、存储器元件以及散热器。控制基板位于印刷电路板基板上。控制器位于控制基板上。存储器元件位于印刷电路板基板上。散热器位于控制器与存储器元件上，其中散热器具有位于控制器上的第一部...

一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤：提供第一半导体晶圆，其中第一半导体晶圆包括第一介电层及嵌入第一介电层内的至少一第一顶部金属化结构，且第一介电层的顶面比第一顶部金属化结构高出第一距离；提供第二半导体晶圆，其中第二半导体晶圆包括第二...

本公开提供一种集成电路结构及其制备方法。该介电隔离结构是可减低导电特征之间的电容性耦合以及串扰。该制备方法包括：在基底上形成一第一导电结构；在该第一导电结构上形成第一介电结构；将该第一导电结构的侧壁部分转换为一第一介电部分；移除该第一介...

本公开提供一种警报装置及其警报方法。警报装置包括图像撷取单元、输入/输出单元以及处理单元。图像撷取单元经配置以撷取晶圆输送系统的至少一个图像；处理单元经配置以：从图像撷取单元取得至少一个图像；在至少一个图像中定义一第一边界；在至少一个图...