【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制备方法
[0001]本申请案主张2020年7月23日申请的美国正式申请案第16/937,347号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开是关于一种半导体元件及其制备方法。特别是有关于一种半导体元件及其制备方法，该半导体元件具有一气隙与一氮化硼罩盖，以降低在一图案密集区中的电容耦合。
技术介绍
[0003]对于许多现代应用，半导体元件是不可或缺的。随着电子科技的进步，半导体元件的尺寸变得越来越小，于此同时提供较佳的功能以及包含较大的集成电路数量。由于半导体元件的规格小型化，实现不同功能的半导体元件的不同型态与尺寸规模，是整合(integrated)并封装(packaged)在一单一模块中。再者，许多制造步骤执行于各式不同型态的半导体装置的整合(integration)。
[0004]然而，半导体元件的制造与整合包含许多复杂步骤与操作。在半导体元件中的整合是变得越加复杂。半导体元件的制造与整合的复杂度中的增加可造成多个缺陷，例如相邻导电元件之间的寄生电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一第一导电特征以及一第二导电特征，设置在一半导体基底的一图案密集区上；一第三导电特征以及一第四导电特征，设置在该半导体基底的一图案稀疏区上；以及一氮化硼层，设置在该半导体基底的该图案密集区与该图案稀疏区上，其中该氮化硼层位在该第一导电特征与该第二导电特征之间的一第一部分，是通过一气隙而与该半导体基底分开设置；而该氮化硼层位在该第三导电特征与该第四导电特征之间的一第二部分，是直接接触该半导体基底。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一导电特征是与该第二导电特征分开一第一距离，该第三导电特征是与该第四导电特征分开一第二距离，而该第二距离是较大于该第一距离。3.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一导电特征、该第二导电特征、该第三导电特征以及该第四导电特征是被该氮化硼层所覆盖，而该第一导电特征的一上表面是较高于该氮化硼层的该第一部分的一下表面。4.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：一第一间隙子，位在该第一导电特征的一侧壁上；以及一第二间隙子，位在该第二导电特征的一侧壁上，其中该气隙是被该第一间隙子、该第二间隙子、该氮化硼层的该第一部分以及该半导体基底所包围。5.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：一第三间隙子，位在该第三导电特征的一侧壁上，其中该第三间隙子是被该第三导电特征、该氮化硼层以及该半导体基底所包围；以及一第四间隙子，位在该第四导电特征的一侧壁上，其中该第四间隙子是被该第四导电特征、该氮化硼层以及该半导体基底所包围。6.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一能量可移除层，设置在该第一导电特征与该第二导电特征之间，其中该能量可移除层的一部分是位在该气隙与该半导体基底之间。7.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该图案密集区是在一存储器元件的一存储器胞中，而该图案稀疏区是在该存储器元件的该存储器胞外侧的一周围区中。8.一种半导体元件，包括：一第一导电特征以及一第二导电特征，设置在一半导体基底的一图案密集区上；一第三导电特征以及一第四导电特征，设置在该半导体基底的一图案稀疏区上，其中在第一导电特征与该第二导电特征之间的一距离，是较小于在该第三导电特征与该第四导电特征之间的一距离；以及一氮化硼层，覆盖该第一导电特征、该第二导电特征、该第三导电特征以及该第四导电特征，其中该氮化硼层具有一第一部分以及一第二部分，该第一部分位在该第一导电特征与该第二导电特征之间，该第二部分是位在该第三导电特征与该第四导电特征之间，而该第二部分的一高度是较大于该第一部分的一高度。9.如权利要求8所述的半导体元件，其中，该第二部分的该高度是大致相同于该第三导电特征的一高度，而该第一部分是通过一气隙而与该半导体基底分开设置，该气隙是位在该第一导电特征与该第二导电特征之间。10.如权利要求8所述的半导体元件，其中，该氮化硼层的该第二部分的一宽度是较大
于该氮化硼层的该第一部分的一宽度。11.如权利要求9所述的半导体元件，还包括：一第一间隙子，位在该第一导电特征的一侧壁上；一第二间隙子，位在该第二导电特征的一侧壁上；一第三间隙子，位...
【专利技术属性】
技术研发人员：林原园，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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