【技术实现步骤摘要】
半导体器件及电容器的形成方法
[0001]本申请涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体器件及电容器的形成方法。
技术介绍
[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元包含晶体管和电容器，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连。
[0003]随着DRAM器件的尺寸越来越小，电容器中电容孔的深宽比变得越来越大，电容器在制作过程中电极层容易倒塌。因此，如何提供一种对电极层具有更强支撑性的电容器结构是迫切需要解决的问题。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本申请实施例提供一种半导体器件及电容器的形成方法。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件至少包括：衬底和电容器；所述电容器包括：
[0006]依次平行于所述衬底设置的底部支撑层、中间支撑层和顶部支撑层；
[0007]第一电极层，垂直于所述衬底设置，且...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件至少包括：衬底和电容器；所述电容器包括：依次平行于所述衬底设置的底部支撑层、中间支撑层和顶部支撑层；第一电极层，垂直于所述衬底设置，且贯穿所述底部支撑层、中间支撑层和顶部支撑层；其中，在垂直于所述衬底的方向上，所述中间支撑层具有上表面和下表面；沿平行于所述衬底的方向，所述第一电极层的侧壁包括向所述中间支撑层突出的第一凸起和第二凸起，所述第一凸起与所述中间支撑层的下表面接触，所述第二凸起与所述中间支撑层的上表面接触；介质层，覆盖所述第一电极层的表面；第二电极层，覆盖所述介质层的表面。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述中间支撑层包括：第一子支撑层和第二子支撑层；其中，沿平行于所述衬底的方向，所述第一电极层的侧壁包括向所述第一子支撑层和所述第二子支撑层突出的第三凸起，所述第三凸起位于所述第一子支撑层和所述第二子支撑层之间，所述第三凸起与所述第一子支撑层的上表面和所述第二子支撑层的下表面接触。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一凸起、所述第二凸起或所述第三凸起的厚度范围为2至5纳米，所述中间支撑层的厚度范围为10至40纳米；在垂直于所述衬底的方向上，所述第一凸起、所述第二凸起和所述第三凸起的厚度之和与所述中间支撑层厚度的比例范围为1：1至1：10。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，沿平行于所述衬底的方向，所述第一电极层的侧壁包括向所述底部支撑层突出的第四凸起，在垂直于所述衬底的方向上，所述第四凸起与所述底部支撑层的上表面接触；和/或，沿平行于所述衬底的方向，所述第一电极层的侧壁包括向所述顶部支撑层突出的第五凸起，在垂直于所述衬底的方向上，所述第五凸起与所述顶部支撑层的下表面接触。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述底部支撑层、所述中间支撑层和所述顶部支撑层的材料包括以下至少之一：氧化硅；氮化硅；氮碳化硅；氮氧化硅。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极层的材料包括：金属氮化物和/或金属硅化物；所述第二电极层的材料包括：金属氮化物和/或金属硅化物；所述介质层的材料包括以下至少之一：氧化锆；氧化铪；氧化钛锆；氧化钌；氧化锑；氧化铝。7.一种电容器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；依次形成覆盖所述衬底的具有底部支撑层、第一牺牲层、中间支撑层、第二牺牲层和顶部支撑层的叠层结构；其中，所述第一牺牲层与所述中间支撑层之间形成有第一支撑层夹层，和/或，所述中间支撑层与所述第二牺牲层之间形成有第二支撑层夹层；
形成贯穿所述叠层结构的通孔，以显露所述衬底；其中，在平行于所述衬底的方向，所述通孔的侧壁包括向所述第一支撑层夹层突出的第一凸起，和/或，所述通孔的侧壁包括向所述第二支撑层夹层突出的第二凸起；形成覆盖所述通孔内壁的第一电极层；沿所述通孔的径向，依次形成覆盖所述第一电极层的介质层和第二电极层，以形成所述电容器。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述叠层结构包括所述第一支撑层夹层和所述第二支撑层夹层；形成所述中间支撑层，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓玲，洪海涵，张民慧，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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