半导体接触结构、其制作方法及半导体存储器技术

本公开提供一种半导体接触结构、其制作方法及半导体存储器。本公开的半导体接触结构包括：半导体衬底；由器件隔离区限定的有源区；形成在所述半导体衬底中的埋栅结构；以及形成在埋栅结构之间的接触结构；其中，所述接触结构与所述埋栅结构自对准。本公开与现有技术相比的优点在于：无需采用光刻对准工艺，接触的位置在两个绝缘体的中央位置，预防漏电造成的不良；减少了与位线相对接触的面积，能减少位线电容；借由接触结构的侧墙工艺，可以增加与邻接有源区的工艺窗口。接有源区的工艺窗口。接有源区的工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】
半导体接触结构、其制作方法及半导体存储器


[0001]本公开涉及半导体
，具体涉及一种半导体接触结构、其制作方法及半导体存储器。

技术介绍

[0002]随着半导体电路线宽变窄，工艺难度提升，两个不同的光刻图案的对准也日渐重要。两个光刻图案如果未对准的话，半导体器件会产生漏电，这成为半导体不良的原因。
[0003]图1A示出了现有的半导体接触结构的平面图；图1B示出了沿图1A的线a-a'和b-b'截取的截面图。
[0004]理想的情况，如图1a所示，半导体器件间有绝缘体在中间隔离，连接上部与下部的接触结构100，应位于图示下部结构中两个绝缘体的中央位置。但是以现有的光刻对准(photo align)技术制作的结果来看，接触100的位置不在两个绝缘体的中央位置，并且制作接触时也可能损害到了绝缘体，导致半导体发生不良。因此，研发自对准(Self-Align)技术，就非常的重要了。

技术实现思路

[0005]本公开的目的是提供一种半导体接触结构、一种半导体接触结构的制作方法、一种半导体存储器及一种电子设备。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体接触结构，其特征在于，包括：半导体衬底；由器件隔离区限定的有源区；形成在所述半导体衬底中的埋栅结构；以及形成在埋栅结构之间的接触结构；其中，所述接触结构与所述埋栅结构自对准。2.根据权利要求1所述的半导体接触结构，其特征在于，所述接触结构上宽下窄，包括接触侧墙和接触插塞，所述接触侧墙包括位于上方的第一接触侧墙以及位于下方的第二接触侧墙。3.根据权利要求2所述的半导体接触结构，其特征在于，所述埋栅结构包括：位于外侧的栅介质层、被栅介质层包围位于下方的栅电极层以及位于上方的栅掩模层，所述第一接触侧墙形成在所述栅掩模层的外侧，所述第二接触侧墙形成在所述栅介质层的外侧，所述栅掩模层的侧面除了与所述第二接触侧墙接触的部分均被所述栅介质层包围。4.根据权利要求3所述的半导体接触结构，其特征在于，所述栅掩模层和所述接触插塞的顶表面齐平。5.根据权利要求4所述的半导体接触结构，其特征在于，所述有源区包含第一材料，所述栅介质层包含第二材料，所述第一材料和所述第二材料的刻蚀选择性不同。6.根据权利要求5所述的半导体接触结构，其特征在于，所述第一材料为硅，所述第二材料为硅氧化物。7.一种半导体接触结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；该半导体衬底包括由器件隔离区限定的有源区，以及形成在所述半导体衬底中的埋栅结构；在埋栅结构之间对所述半导体衬底进行第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：全宗植，吴容哲，周娜，李俊杰，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：