【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
[0001]本专利技术涉及一种半导体技术，且特别是涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
[0002]存储器为用以存储信息或数据的半导体元件，广泛地应用于个人计算机、移动电话、网络等方面，已成为生活中不可或缺的重要电子产品。由于计算机微处理器的功能越来越强，软件所进行的程序与运算也随之增加，且各种数据存储量也日趋增加，因此存储器的容量需求也就越来越高。
[0003]传统的多次可编程(multi-time programmable memory，MTP)存储单元结构是以掺杂多晶硅制作浮置栅极与控制栅极，以进行抹除/写入的操作。近来为了避免因过度抹除/写入而导致数据误判的问题，将存储单元的一侧串接一选择晶体管(select transistor)，而形成两个晶体管结构，并通过选择晶体管来控制存储单元的编程和读取。
[0004]然而，由于芯片上同时有单元区与周边区的元件需要制作，而存储器单元与周边元件的制作工艺通常是分开进行的，因此需要多道光掩模以及复杂的制作工艺步骤，导致成本与时间增加...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具有单元区与周边区，其特征在于，所述半导体装置包括：基板；位线上电容器(capacitor over bitline，COB)式动态随机存取存储器(DRAM)，设置于所述单元区，所述COB式DRAM包括位线以及第一电容器；以及多次可编程存储器(multi-time programmable memory，MTP)，设置于所述周边区，其中所述MTP包括：浮置栅极，形成于所述基板上，是与所述位线同时图案化的结构；第二电容器，位于所述浮置栅极上，是与所述第一电容器同时制作的电容器结构；以及至少一接触窗，电连接所述浮置栅极与所述第二电容器。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述MTP还包括隧穿氧化层，位于所述基板与所述浮置栅极之间。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述浮置栅极的材料包括掺杂的多晶硅或多晶硅化金属。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述MTP还包括金属膜，形成于所述浮置栅极表面，并与所述至少一接触窗直接接触。5.如权利要求4所述的半导体装置，其中所述金属膜与所述位线是同时沉积的结构层。6.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一电容器包括第一下电极、第一介电层与第一上电极，所述第二电容器包括第二下电极、第二介电层与第二上电极，所述第二下电极是与所述第一下电极同时制作的电极结构，且所述第二上电极是与所述第一上电极同时制作的电极结构。7.如权利要求6所述的半导体装置，还包括第零层金属层，介于所述第二下电极与所述至少一接触窗之间，并与所述至少一接触窗直接接触。8.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述第一电容器与所述第二电容器为具有凹槽的结构，且所述第一上电极与所述第二上电极各自包括：上电极层，位于所述凹槽上方；以及导体材料，填入所述凹槽内，并位于所述上电极层下方。9.如权利要求8所述的半导体装置，其中所述导体材料包括多晶硅或多晶硅化金属，且所述第二电容器内的所述导体材料作为所述MTP的控制栅极。10.如权利要求8所述的半导体装置，其中所述第二电容器中的所述凹槽的数量为多个，构成并联的电容器。11.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述第二介电层与所述第一介电层为高介电常数材料。12.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述第二介电层的厚度大于所述第一介电层的厚度。13.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二电容器的数量为多个，构成串联的电容器。14.一种半导体装置的制造方法，包括：在单元区形成位线上电容器...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄圣惠，张三荣，张立鹏，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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