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本发明公开一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置具有单元区与周边区，包括基板、位线上电容器(capacitor over bitline，COB)式动态随机存取存储器(DRAM)与多次可编程存储器(multi
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该专利属于力晶积成电子制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶积成电子制造股份有限公司授权不得商用。

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