温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供一种半导体接触结构、其制作方法及半导体存储器。本公开的半导体接触结构包括：半导体衬底；由器件隔离区限定的有源区；形成在所述半导体衬底中的埋栅结构；以及形成在埋栅结构之间的接触结构；其中，所述接触结构与所述埋栅结构自对准。本公开与现...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。