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本申请实施例提供一种半导体器件及电容器的形成方法，其中，半导体器件至少包括：衬底和电容器；所述电容器包括：依次平行于所述衬底设置的底部支撑层、中间支撑层和顶部支撑层；第一电极层，垂直于所述衬底设置，且贯穿所述底部支撑层、中间支撑层和顶部支撑...
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