存储器装置制造方法及图纸

提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：基底；存储器单元，设置在基底上；沟道，设置在存储器单元上；字线，被沟道围绕并且沿第一水平方向延伸；栅极绝缘层，置于沟道与字线之间；以及位线，接触沟道的上端并且沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸。平方向交叉的第二水平方向延伸。平方向交叉的第二水平方向延伸。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置
[0001]本申请是基于并且要求于2020年7月22日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0091255号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]与示例实施例一致的装置、方法和系统涉及一种包括垂直晶体管的存储器装置和半导体装置。

技术介绍

[0003]存储器装置可以包括多个存储单元。随着电子装置的尺寸减小，需求提高存储器装置的集成度。为了提供提高的集成度，需要减小存储单元的尺寸。每个存储单元中的可以包括选择单元和存储器单元。选择单元可以包括晶体管。具有平面(2D)结构的晶体管的尺寸会限制存储单元的尺寸的减小。

技术实现思路

[0004]一个或更多个示例实施例提供一种包括垂直晶体管的高度集成的存储器装置。
[0005]根据示例实施例的一个方面，提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底；存储器单元，设置在基底上；沟道，设置在存储器单元上；字线，被沟道围绕并且沿第一水平方向延伸；栅极绝缘层，置于沟道与字线之间；以及位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底；存储器单元，设置在基底上；沟道，设置在存储器单元上；字线，被沟道围绕并且沿第一水平方向延伸；栅极绝缘层，置于沟道与字线之间；以及位线，接触沟道的上端并且沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，沟道包括氧化物半导体。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，沟道包括氧化铟镓锌。4.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括将存储器单元电连接到沟道的存储器单元接触件。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，沟道包括：第一部分，设置在字线的第一侧上；第二部分，设置在字线的第二侧上；第三部分，设置在字线的下表面上；以及第四部分，位于字线的上表面上。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，存储器单元包括：下电极；上电极；以及介电层，置于下电极与上电极之间。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，上电极具有柱形状。8.一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底；下电极，设置在基底上；上电极，设置在下电极上；介电层，设置在下电极与上电极之间；存储器单元接触件，设置在上电极上；沟道，包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分中的每个沿垂直于第一水平方向的竖直方向从存储器单元接触件延伸；字线，沿第一水平方向延伸并且在沟道的第一部分和第二部分之间通过；栅极绝缘层，置于沟道与字线之间；以及位线，接触沟道的上端并且沿垂直于竖直方向的第二水平方向延伸。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，沟道还包括：第三部分，置于存储器单元接触件与字线之间；以及第四部分，位于位线与字线之间。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，字线包括：线部，沿第一水平方向延伸；以及接触部，沿着竖直方向从线部朝向沟道的第三部分突出。11.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
基底；下电极，设置在基底上；介电层，设置在下电极上；多个上电极，设置在介电层上；多个沟道，分别设置在所述多个上电极上并沿竖直方向延伸；多条字线，分别设置在所述多个沟道的侧面上并且沿垂直于竖直方向的第一水平方向延伸；多个栅极绝缘层，分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪载昊，李炅奂，金炫哲，金熙中，朴玄睦，李基硕，赵珉熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：