存储器装置制造方法及图纸

提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：基底；存储器单元，设置在基底上；沟道，设置在存储器单元上；字线，被沟道围绕并且沿第一水平方向延伸；栅极绝缘层，置于沟道与字线之间；以及位线，接触沟道的上端并且沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸。平方向交叉的第二水平方向延伸。平方向交叉的第二水平方向延伸。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置
[0001]本申请是基于并且要求于2020年7月22日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0091255号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]与示例实施例一致的装置、方法和系统涉及一种包括垂直晶体管的存储器装置和半导体装置。

技术介绍

[0003]存储器装置可以包括多个存储单元。随着电子装置的尺寸减小，需求提高存储器装置的集成度。为了提供提高的集成度，需要减小存储单元的尺寸。每个存储单元中的可以包括选择单元和存储器单元。选择单元可以包括晶体管。具有平面(2D)结构的晶体管的尺寸会限制存储单元的尺寸的减小。

技术实现思路

[0004]一个或更多个示例实施例提供一种包括垂直晶体管的高度集成的存储器装置。
[0005]根据示例实施例的一个方面，提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底；存储器单元，设置在基底上；沟道，设置在存储器单元上；字线，被沟道围绕并且沿第一水平方向延伸；栅极绝缘层，置于沟道与字线之间；以及位线，接触沟道的上端并且沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸。
[0006]根据示例实施例的一个方面，提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底；下电极，设置在基底上；上电极，设置在下电极上；介电层，设置在下电极与上电极之间；存储器单元接触件，设置在上电极上；沟道，包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分中的每个沿垂直于第一水平方向的竖直方向从存储器单元接触件延伸；字线，沿第一水平方向延伸并且在沟道的第一部分和第二部分之间通过；栅极绝缘层，置于沟道与字线之间；以及位线，接触沟道的上端并且沿垂直于竖直方向的第二水平方向延伸。
[0007]根据示例实施例的一个方面，提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底；下电极，设置在基底上；介电层，设置在下电极上；多个上电极，设置在介电层上；多个沟道，分别设置在所述多个上电极上并沿竖直方向延伸；多条字线，分别设置在所述多个沟道的侧面上并且沿垂直于竖直方向的第一水平方向延伸；多个栅极绝缘层，分别置于所述多个沟道与所述多条字线之间；以及位线，接触所述多个沟道的上端并且沿第二水平方向延伸，第二水平方向与第一水平方向交叉并且垂直于竖直方向。
[0008]根据示例实施例的一个方面，提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底；第一层间绝缘层，设置在基底上并且具有形成在其中的孔；下电极，设置在孔的侧面上和孔的底部上；上电极，设置在下电极上；介电层，置于下电极与上电极之间；存储器单元接触件，设置在上电极上；第二层间绝缘层，设置在第一层间绝缘层上并围绕存储器单元接触件；第三层间绝缘层，设置在第二层间绝缘层上；蚀刻停止层，设置在第三层间绝缘层上；第
四层间绝缘层，设置在蚀刻停止层上；沟道，包括第一部分、第二部分、第三部分和第四部分，第一部分和第二部分中的每个沿竖直方向从存储器单元接触件延伸并且穿过第三层间绝缘层、蚀刻停止层和第四层间绝缘层，第三部分连接第一部分的下端和第二部分的下端，并且第四部分连接第一部分的上端和第二部分的上端；字线，被沟道围绕并且沿第一水平方向延伸；栅极绝缘层，在沟道与字线之间围绕字线；以及位线，接触沟道的第四部分并且沿第二水平方向延伸。
[0009]根据示例实施例的一个方面，提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底；第一层间绝缘层，设置在基底上并且具有形成在其中的孔；下电极，设置在孔的侧面上和孔的底部上；上电极，设置在下电极上；介电层，置于下电极与上电极之间；沟道，沿竖直方向从上电极延伸；栅极绝缘层，设置在沟道的侧面上；字线，接触栅极绝缘层的侧表面并沿第一水平方向延伸；盖层，设置在字线的侧面上；第二层间绝缘层，置于盖层与第一层间绝缘层之间；以及位线，接触沟道的上端并且沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸。
[0010]根据示例实施例的一个方面，提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括第一结构和第二结构。第一结构包括：基底；第一存储器单元，设置在基底上；第一沟道，设置在第一存储器单元上并沿竖直方向延伸；第一字线，设置在第一沟道的侧面上并且沿第一水平方向延伸；第一栅极绝缘层，置于第一沟道与第一字线之间；以及第一位线，接触第一沟道并且沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸。第二结构包括：第二存储器单元；第二沟道，设置在第二存储器单元上并沿竖直方向延伸；第二字线，设置在第二沟道的侧面上并且沿第一水平方向延伸；第二栅极绝缘层，设置在第二沟道与第二字线之间；以及第二位线，接触第二沟道并沿第二水平方向延伸，其中，第二结构堆叠在第一结构上，使得第一位线与第二位线接触。
附图说明
[0011]通过以下结合附图对示例实施例的详细描述，将更清楚地理解上述和其他方面，在附图中：
[0012]图1是根据示例实施例的存储器装置的电路图；
[0013]图2A是示出根据示例实施例的存储器装置的平面图；
[0014]图2B是沿着图2A的线B
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B'截取的剖视图；
[0015]图2C是沿着图2A的线C
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C'截取的剖视图；
[0016]图3A是示出根据示例实施例的存储器装置的平面图；
[0017]图3B是沿着图3A的线B
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B'截取的剖视图；
[0018]图3C是沿着图3A的线C
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C'截取的剖视图；
[0019]图3D是沿着图3A的线D
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D'截取的剖视图；
[0020]图3E是图3B中的区域E的放大图；
[0021]图3F是示出根据示例实施例的存储器装置的放大图；
[0022]图3G是示出根据示例实施例的存储器装置的剖视图；
[0023]图4A、图5A、图6A、图7A、图8A、图9A、图10A、图11A、图12A、图13A、图14A、图15A和图16A是示出根据示例实施例的制造存储器装置的方法的平面图；
[0024]图4B、图5B、图6B、图7B、图8B、图9B、图10B、图11B、图12B、图13B、图14B、图15B和图
16B分别是沿着图4A、图5A、图6A、图7A、图8A、图9A、图10A、图11A、图12A、图13A、图14A、图15A和图16A的线B
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B'截取的剖视图；
[0025]图10C、图11C、图12C、图13C、图14C、图15C和图16C分别是沿着图10A、图11A、图12A、图13A、图14A、图15A和图16A的线C
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C'截取的剖视图；
[0026]图17A、图18A、图19A、图20A、图21A、图22A、图23A、图24A、图25A、图26A和图27A是示出根据示例实施例的制造存储器装置的方法的平面图；
[0027]图17B、图18B、图19B、图20B、图21B、图22B、图23B、图24B、图25B、图26B和图27B分别本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底；存储器单元，设置在基底上；沟道，设置在存储器单元上；字线，被沟道围绕并且沿第一水平方向延伸；栅极绝缘层，置于沟道与字线之间；以及位线，接触沟道的上端并且沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，沟道包括氧化物半导体。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，沟道包括氧化铟镓锌。4.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括将存储器单元电连接到沟道的存储器单元接触件。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，沟道包括：第一部分，设置在字线的第一侧上；第二部分，设置在字线的第二侧上；第三部分，设置在字线的下表面上；以及第四部分，位于字线的上表面上。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，存储器单元包括：下电极；上电极；以及介电层，置于下电极与上电极之间。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，上电极具有柱形状。8.一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底；下电极，设置在基底上；上电极，设置在下电极上；介电层，设置在下电极与上电极之间；存储器单元接触件，设置在上电极上；沟道，包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分中的每个沿垂直于第一水平方向的竖直方向从存储器单元接触件延伸；字线，沿第一水平方向延伸并且在沟道的第一部分和第二部分之间通过；栅极绝缘层，置于沟道与字线之间；以及位线，接触沟道的上端并且沿垂直于竖直方向的第二水平方向延伸。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，沟道还包括：第三部分，置于存储器单元接触件与字线之间；以及第四部分，位于位线与字线之间。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，字线包括：线部，沿第一水平方向延伸；以及接触部，沿着竖直方向从线部朝向沟道的第三部分突出。11.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
基底；下电极，设置在基底上；介电层，设置在下电极上；多个上电极，设置在介电层上；多个沟道，分别设置在所述多个上电极上并沿竖直方向延伸；多条字线，分别设置在所述多个沟道的侧面上并且沿垂直于竖直方向的第一水平方向延伸；多个栅极绝缘层，分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪载昊，李炅奂，金炫哲，金熙中，朴玄睦，李基硕，赵珉熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：