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提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：基底；存储器单元，设置在基底上；沟道，设置在存储器单元上；字线，被沟道围绕并且沿第一水平方向延伸；栅极绝缘层，置于沟道与字线之间；以及位线，接触沟道的上端并且沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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