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本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有气隙与氮化硼罩盖以降低在一图案密集区中的电容耦合。该半导体元件包括一第一导电特征以及一第二导电特征，是设置在一半导体基底的一图案密集区上。该半导体元件亦包括一第三导电特征以及一第四导电特...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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