制造半导体结构的方法及半导体结构技术

一种制造半导体结构的方法，包括：根据硬遮罩蚀刻基板，以在基板内形成多个沟渠；对基板的该些沟渠进行氮化处理；用可流动隔离材料填充基板的该些沟渠；以及固化可流动隔离材料，以形成隔离材料。另提供一种通过上述方法制造而成的半导体结构。此方法包括对基板的该些沟渠进行氮化处理步骤，其可显著防止主动区倾倒。倾倒。倾倒。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体结构的方法及半导体结构


[0001]本专利技术有关于一种制造半导体结构的方法及一种半导体结构。

技术介绍

[0002]在半导体装置中，隔离结构形成在主动区(active areas,AA)之间，以使主动区之间电绝缘。随着半导体装置变得越来越小并且高度集成，主动区的间距持续缩小。因此，隔离结构的尺寸也持续缩小。
[0003]然而主动区的间距的缩小和隔离结构尺寸的缩小可能会导致一些问题，例如在形成隔离结构的过程中发生主动区倾倒。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种制造半导体结构的方法，其可解决主动区倾倒的问题。
[0005]根据本专利技术的一实施方式，制造半导体结构的方法，包括：根据硬遮罩蚀刻基板，以在基板内形成多个沟渠；对基板的该些沟渠进行氮化处理；用可流动隔离材料填充基板的该些沟渠；以及固化可流动隔离材料，以形成隔离材料。
[0006]根据本专利技术的一些实施例，氮化处理包括去耦等离子体氮化(decoupled plasma nitridation,DPN)、快速热氮化(rapid t本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包括：根据硬遮罩蚀刻基板，以在该基板内形成多个沟渠；对该基板的该些沟渠进行氮化处理；用可流动隔离材料填充该基板的该些沟渠；以及固化该可流动隔离材料，以形成隔离材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中该氮化处理包括去耦等离子体氮化(decoupled plasma nitridation,DPN)、快速热氮化(rapid thermal nitridation,RTN)或其组合。3.根据权利要求1所述的方法，其中在对该基板的该些沟渠进行该氮化处理之后，各该沟渠的侧表面上存在多个氮原子。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在对该基板的该些沟渠进行该氮化处理之前，对该基板的该些沟渠进行氧化处理。5.根据权利要求4所述的方法，其中对该基板的该些沟渠进行该氧化处理包括在各该沟渠的侧表面上形成含氧化物层，以及在对该基板的该些沟渠进行该氮化处理之后，该含氧化物层的侧表面上存在多个氮原子。6.根据权利要求1所述的方法，其中用该可流动隔离材料填充该基板的该些沟渠通过使用可流动化学气相沉积工艺进行。7.根据权利要求1所述的方法，其中固化该可流动隔离材料包括使用紫外光固化工艺、退火工艺或其组合。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在蚀刻该基板之前，在该基板上形成硬遮罩层；以及去除该硬遮罩层的多个部分，以形成该硬遮罩。9.根据权利要求1所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄英政，廖哲贤，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：