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南亚科技股份有限公司专利技术
南亚科技股份有限公司共有2444项专利
晶圆检验方法及系统技术方案
本发明公开了一种晶圆检验方法及系统,晶圆检验方法包括下列步骤:撷取多张焊垫影像;根据物件侦测模型对这些焊垫影像进行辨识,并将这些焊垫影像分类为多张第一类焊垫影像以及多张第二类焊垫影像,其中这些第一类焊垫影像各自包含扎穿特征以及第一针痕特...
具有去耦合电容器的半导体裸片制造技术
本公开提供一种具有去耦合电容器的半导体裸片。该半导体裸片包括多个第一接合垫、多个第二接合垫、多个接合金属与多个去耦合电容器。多个第一与第二接合垫分别耦合至一电源供应电压与一参考电压。多个接合金属设置于多个第一与第二接合垫的多个中央区域上...
半导体结构及其制备方法技术
提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底、一绝缘区、一主动区、一栅极沟槽、一第一阻障层、一第一栅极材料、一第二阻障层、一第二栅极材料以及一栅极隔离材料。该基底包括一第一上表面。该绝缘区设置在该基底中。该主动区被该绝缘区所围...
半导体元件及其制备方法技术
本公开提供一种半导体元件及其制备方法,该半导体元件包括一导电层,设置在一半导体基底上;以及一导电接触点,设置在该导电层上。该半导体元件亦包括一导电线,设置在该导电接触点上。在沿该导电线的一纵轴的一第一剖视图中,该导电接触点的一上部具有一...
具有倾斜隔离层的半导体元件及其制备方法技术
本公开提供一种具有多个倾斜隔离层的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、二导电栓柱、一第一组倾斜隔离层以及一第二组倾斜隔离层;该二导电栓柱位在该基底上,并沿一垂直轴延伸;该第一组倾斜隔离层相互平行,且位在该二导电栓柱之间;该第...
机台监控系统与机台监控方法技术方案
本发明公开了一种机台监控系统与机台监控方法,机台监控系统包括检测装置与数据处理装置。检测装置对多个机台进行检测以产生多个机台对应的多个检测信息;数据处理装置连接检测装置,并用以:接收多个检测信息,并依据多个检测信息从多个机台选择至少一个...
侦测物品表面缺陷的方法及其系统技术方案
本发明内容公开了一种侦测物品表面缺陷的方法及其系统,侦测物品表面缺陷的方法包含:提供物品;提供侦测物品表面缺陷的系统包含:激光发射模块、激光侦测模块、及分析模块,激光侦测模块电性连接激光发射模块,并且分析模块电性连接激光侦测模块;使用激...
具有复合接合焊垫的半导体元件制造技术
本公开提供一种具有复合接合焊垫的半导体元件。该半导体元件包括设置在一半导体基底上的一第一介电层,设置在该第一介电层中的一下金属插塞以及一阻挡层,设置在该下金属插塞上的一内硅化物部分,以及设置在该阻挡层上的一外硅化物部分。该下金属插塞被该...
半导体元件的制备方法技术
本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括在一半导体基底上形成一第一介电层,形成一阻挡层以及贯穿该第一介电层并且设置在一单元区中的一第一下金属插塞,该第一下金属插塞被该阻挡层所包围,在该第一介电层、该阻挡层以及该第一下金属插塞上...
半导体元件及其制备方法技术
本公开提供一种具有倾斜导电层的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底,设置在该基底上的一第一绝缘层,设置在该第一绝缘层中的一第一倾斜导电层,以及设置以覆盖该第一倾斜导电层的一顶部导电层。该第一倾斜导电层的一顶部导电层。该第一倾斜...
半导体结构及其制备方法技术
本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底,该基底具有一第一上表面。一主动区是被在该基底中的一绝缘区所围绕。一埋入电源线以及一埋入信号线设置在该基底内以及在该主动区中。一第一电路层设置在该第一的该第一上表面上,以覆盖该...
半导体元件的制备方法技术
本公开提供一种半导体元件的制备方法。该半导体元件的制备方法包括提供一目标层;形成一第一硬遮罩层在该目标层上;形成多个第二硬遮罩层在该第一硬遮罩层上;执行一第一倾斜蚀刻制程在该第一硬遮罩层上,以形成多个第一开口在沿着该第一硬遮罩并邻近所述...
内存元件及其形成方法技术
一种内存元件包括基板、导线、电容器、晶体管与接触结构。导线位于基板的周边区域上。电容器位于基板的内存区域上。晶体管位于电容器上且连接至电容器,且包括第一及第二源极/汲极区域、通道与闸极结构。第一源极/汲极区域连接至电容器。闸极结构侧向围...
半导体结构制造技术
本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一晶片及一测试结构。该测试结构配置在该晶片上,且包括一第一元件以及一第二元件。该第一元件包括一第一源极/漏极层以及设置该在该第一源极/漏极层上的一第一栅极层。该第二元件包括一第二源极/漏极层以及...
半导体元件及其制造方法技术
本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底;一第一钝化层,设置在该基底上;一重布线层,设置在该第一钝化层上;一第一调整层,设置在该重布线层上;一焊垫层,设置在该第一调整层上;以及一第二调整层,设置在该焊垫层以及该第一调...
半导体元件及其制备方法技术
本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一第一隔离层、一第二隔离层、一导电栓柱以及多个间隙子。该第一隔离层设置在一基底上。所述导电栓柱设置在该第一隔离层中,并穿经该第二隔离层。所述间隙子设置在所述导电栓柱的各侧壁上。在所述...
半导体元件结构及其制备方法技术
本公开提供一种具有导电聚合物衬垫的半导体元件结构及该半导体元件结构的制备方法。该半导体元件结构具有一第一金属层以与一第二金属层,该第一金属层设置在一半导体基底,该第二金属层设置在该第一金属层上。该半导体元件结构还具有一导电结构,设置在该...
半导体元件及其制备方法技术
本公开有关一种具有中介层的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板、位于该基板上的一底部导电插塞、位于该底部导电插塞上的一中介导电层、以及位于该中介导电层上的一顶部导电插塞。该中介导电层的一顶表面为非平面的。非平面的。非平面的。
蜂巢式网络制造技术
本发明公开了一种蜂巢式网络,包括多个微型基地台。微型基地台彼此之间通讯连接。微型基地台的每一个各自包括天线、无线信号收发器及数字信号处理器。天线配置在微型基地台的周边区域中,及用以接收及传输多个无线信号。无线信号收发器用以解调从天线接收...
半导体结构及其制备方法技术
本公开涉及半导体结构及其制备方法,提供一种双重图案化技术以定动态随机存取存储器(DRAM)单元中的周围图案。由于线宽的考量,周围图案线需要进行两次微影制程和两次蚀刻制程。在制造周围电路图案时,在阵列区域中存在额外的光阻图案可以增加周围电...
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