半导体元件的制备方法技术

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括在一半导体基底上形成一第一介电层，形成一阻挡层以及贯穿该第一介电层并且设置在一单元区中的一第一下金属插塞，该第一下金属插塞被该阻挡层所包围，在该第一介电层、该阻挡层以及该第一下金属插塞上沉积一硅层，在形成该硅层之后执行一自对准硅化物制程以在该第一下金属插塞上形成一内硅化物部分以及在该阻挡层上形成一外硅化物部分，该内硅化物部分被该外硅化物部分所包围，并且形成一凹陷在该内硅化物部分上。凹陷在该内硅化物部分上。凹陷在该内硅化物部分上。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的制备方法


[0001]本申请案主张2020年9月14日申请的美国正式申请案第17/020,083号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开是关于一种半导体元件的制备方法。特别是有关于一种具有复合接合焊垫的半导体元件的制备方法。

技术介绍

[0003]对于许多现代应用，半导体元件是不可或缺的。随着电子科技的进步，半导体元件的尺寸变得越来越小，于此同时提供较佳的功能以及包含较大的集成电路数量。由于半导体元件的规格小型化，实现不同功能的半导体元件的不同型态与尺寸规模，是整合(integrated)并封装(packaged)在一单一模块中。再者，许多制造步骤执行于各式不同型态的半导体元件的整合(integration)。
[0004]然而，半导体元件的制造以及整合涉及许多复杂的步骤及操作。半导体元件的制造以及整合复杂度的增加可能导致例如互连结构中的未对准(misalignment)的缺陷。因此，需要持续地改进半导体元件的结构以及制程。
[0005]上文的「先前技术」说明仅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制备方法，包括：在一半导体基底上形成一第一介电层；形成一阻挡层以及贯穿该第一介电层并且设置在一单元区中的一第一下金属插塞，其中该第一下金属插塞被该阻挡层所包围；在该第一介电层，该阻挡层，以及该第一下金属插塞上沉积一硅层；以及在形成该硅层之后执行一自对准硅化物制程以在该第一下金属插塞上形成一内硅化物部分以及在该阻挡层上形成一外硅化物部分，其中该内硅化物部分被该外硅化物部分所包围，并且形成一凹陷在该内硅化物部分上。2.如权利要求1所述的制备方法，其中形成该阻挡层以及该第一下金属插塞包括：蚀刻该第一介电层以在该单元区中形成一第一开口；形成衬在该第一开口内的一阻挡材料；在该阻挡材料上形成一第一金属材料；以及平坦化该第一金属材料以及该阻挡材料以在该第一开口中形成一第一下金属插塞。3.如权利要求1所述的制备方法，还包括：在该硅层沉积之前，部分去除该第一介电层以曝露该阻挡层的一上侧壁。4.如权利要求3所述的制备方法，其中在该自对准硅化物制程执行之前，该阻挡层的该上侧壁被该硅层所覆盖。5.如权利要求1所述的制备方法，还包括：蚀刻该第一介电层，以在一外围电路区中形成一第二开口，其中该第二开口曝露该半导体基底的一顶面；形成衬于该第二开口以及覆盖该半导体基底的该顶面的一第二金属材料；在该第二金属材料上形成一介电材料；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢立翰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：