具有复合接合焊垫的半导体元件制造技术

本公开提供一种具有复合接合焊垫的半导体元件。该半导体元件包括设置在一半导体基底上的一第一介电层，设置在该第一介电层中的一下金属插塞以及一阻挡层，设置在该下金属插塞上的一内硅化物部分，以及设置在该阻挡层上的一外硅化物部分。该下金属插塞被该阻挡层所包围，该外硅化物部分的一最上顶面高于该内硅化物部分的一最上顶面。物部分的一最上顶面。物部分的一最上顶面。

【技术实现步骤摘要】
具有复合接合焊垫的半导体元件


[0001]本公开主张2020年9月9日申请的美国正式申请案第17/015,816号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开涉及一种半导体元件。特别涉及一种具有复合接合焊垫的半导体元件。

技术介绍

[0003]对于许多现代应用，半导体元件是不可或缺的。随着电子科技的进步，半导体元件的尺寸变得越来越小，于此同时提供较佳的功能以及包含较大的集成电路数量。由于半导体元件的规格小型化，实现不同功能的半导体元件的不同形态与尺寸规模，整合(integrated)并封装(packaged)在一单一模块中。再者，许多制造步骤执行于各式不同形态的半导体元件的整合(integration)。
[0004]然而，半导体元件的制造以及整合涉及许多复杂的步骤及操作。半导体元件的制造以及整合复杂度的增加可能导致例如互连结构中的未对准(misalignment)的缺陷。因此，需要持续地改进半导体元件的结构以及工艺。
[0005]上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一第一介电层，设置在一半导体基底上；一下金属插塞以及一阻挡层，设置在该第一介电层中，其中该下金属插塞被该阻挡层所包围；一内硅化物部分，设置在该下金属插塞上；以及一外硅化物部分，设置在该阻挡层上，其中该外硅化物部分的一最上顶面高于该内硅化物部分的一最上顶面。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该外硅化物部分包围并且直接接触该内硅化物部分，并且该内硅化物部分以及该外硅化物部分包含不同材料。3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该外硅化物部分直接接触该内硅化物部分，并且该内硅化物部分以及该外硅化物部分包含不同材料。4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该内硅化物部分直接接触该下金属插塞的一下金属插塞顶面，外硅化物部分直接接触该阻挡层的一阻挡层顶面，并且该下金属插塞顶面与该阻挡层顶面实质上共面。5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该下金属插塞顶面以及该阻挡层顶面高于该第一介电层的一第一介电层顶面。6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该阻挡层具有从该第一介电层顶面突出的一上侧壁，并且该外硅化物部分直接接触该阻挡层的该上侧壁以及该第一介电层顶面。7.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：一第二介电层，设置在该第一介电层上；以及一上金属插塞，设置在该第二介电层中并且设置在该下金属插塞上。8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该上金属插塞直接接触该内硅化物部分以及该外硅化物部分。9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该上金属插塞的一侧壁被该外硅化物部分所部分覆盖。10.如权利要求1所述的半导体元件，其中该阻挡层包含钛材料，以及该外硅化物部分包含钛硅化物。11.一种半导体元件，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖俊诚，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：