本公开提供一种具有缺陷鉴定功能的电子系统以及微影制程形成的光阻图案的鉴定方法。该电子系统具有一检测设备以及一处理器，该处理器与该检测设备相关联。该检测设备获取该样品的至少一影像，而一光阻图案使用一微影制程而形成在该样品上。该处理器经配置...

本发明公开了一种护具辨识系统与护具辨识方法，护具辨识系统包括影像撷取装置以及计算装置。影像撷取装置设置成撷取作业人员的影像。计算装置连接影像撷取装置并包括处理器、储存装置以及护具辨识模型数据库。储存装置连接处理器并用以储存影像。处理器辨...

本公开提供一种具有一去耦合单元的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底，包括一阵列区以及一周围区，该周围区邻近该阵列区设置；一第一去耦合单元，位于该基底的该周围区中；一存储单元，位于该基底的该阵列区中；一重分布结构，位于该基底的...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括：一基板；一第一导电层，位于该基板上方；一底部导电层，位于该第一导电层上方并电性耦合至该第一导电层；一可编程绝缘层，位于该底部导电层上；一顶部导电层，位于该可编程绝缘层上；以及一重分...

本公开提供一种具有连接到重分布层(RDL)的反熔丝和金属

本发明公开了一种半导体装置及其接合方法，半导体装置的接合方法包括：提供第一半导体结构，第一半导体结构具有第一基板、第一金属特征及绝缘层，第一金属特征设置于第一基板上，且绝缘层设置于第一金属特征上，其中绝缘层具有开口，开口露出第一金属特征...

本发明公开了一种半导体结构制造方法，包括以下流程。提供半导体基板。在半导体基板上形成第一通道，其中通道从半导体基板的表面延伸至半导体基板的内部。在第一通道内填充第一导电材料。差异地研磨半导体基板以及第一导电材料，以使第一导电材料凸出于半...

本公开涉及一种半导体装置与其制备方法。该半导体装置包括设置于一半导体基底之上的一第一介电层，及设置于该第一介电层之上的一第一电极。该半导体装置亦包括设置于该第一电极之上的一熔丝链，及设置于该熔丝链之上的一第二电极。该半导体装置还包括相邻...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板；一第一衬垫，位于该基板上方；以及一第一重分布结构，包括位于该第一衬垫上的一第一重分布导电层和位于该第一重分布导电层上的一第一重分布热释放层。该第一重分布热释放层被配置以维持一...

一种制造半导体装置的方法包括：在第一晶圆上形成第一接合层，并在第一接合层上形成蚀刻遮罩；使用蚀刻遮罩蚀刻第一接合层的边缘部，并暴露出第一晶圆的一部分；移除蚀刻遮罩；以及将第二晶圆固定于第一接合层。蚀刻遮罩并不只用于部分蚀刻第一接合层及第...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包含：一基底、一单元胞电容器、一通道结构、一衬垫材料、一字元线以及一位元线。该单元胞电容器设置在该基底上。该通道结构设置在该单元胞电容器上，其中该通道结构包括一水平组件以及至少两个垂直组...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一存储电容器、一存取晶体管以及至少一导电特征，而该至少一导电特征电性耦接该存储电容器到该存取晶体管。该基底具有至少一绝缘特征，该至少一绝缘特征界定出多个主动区，其中，该存取晶...

本公开提供一种具有不同深宽比的导电栓柱与含锰衬垫层的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括：一基底，具有一图案密集区以及一图案稀疏区；一第一导电层，设置在该基底上；一第一介电层，设置在该第一导电层上；一第一导电栓柱与一第二导电...

本发明公开了一种数据处理装置与数据处理方法，数据处理装置包含存储器以及处理器。存储器用以储存电脑程序与N组加密私钥，其中N为正整数。处理器耦接存储器，并用以执行电脑程序进行：根据第一数据产生第一字串；将第一字串倒置排列以产生第二字串；根...

本发明公开了一种半导体装置与其形成方法，半导体装置包括半导体基板、在半导体基板上的栅极氧化层以及在栅极氧化层上的栅极。栅极包括在栅极氧化层上的第一多晶硅层、在第一多晶硅层上的含氮的间层、在间层上的第二多晶硅层、在第二多晶硅层上的金属堆叠...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包含：一基底；多个导电层，位在该基底上；一碳硬遮罩层，位在所述导电层上；一隔离层，包括一下部以及一上部；以及一导电通孔，沿着该隔离层的该上部与该碳硬遮罩层设置，并位在一相邻对的导电层的其...

提供一种存储器元件，包括半导体基底，具有第一主动区以及第二主动区，第二主动区邻近第一主动区。该存储器元件还具有第一字元线，延伸经过第一主动区与第二主动区。该存储器元件还具有位在第一主动区中的第一源极/漏极区以及位在第二主动区中的第二源极...

本公开是关于一种具有熔丝结构及反熔丝结构的半导体装置与其制备方法。该半导体装置包括设置于一半导体基底之上的一第一介电层，及设置于该第一介电层之上的一第一电极。该半导体装置亦包括设置于该第一电极之上的一熔丝链，及设置于该熔丝链之上的一第二...

一种半导体结构包括基板与第一位线。基板具有多个主动区位线隔离区。每个隔离区位于紧邻的两个主动区之间以将主动区彼此隔离。第一位线形成在主动区中的第一主动区上。第一位线的底部延伸至在第一主动区内。第一位线延伸的底部被第一主动区围绕。如此，能...

本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括：一硅层，设置在一第一半导体晶粒上；以及一第一遮罩层，设置在该硅层上。该半导体元件结构亦包括一第二半导体晶粒，设置在该第一遮罩层上；以及一硅穿孔，穿经该硅层与该第一遮罩层。该...