本公开提供一种集成电路级测试方法及系统。该集成电路级测试方法具有下列操作：由一台车而提供多个崩应电路板到一集成电路上下板机；由该集成电路上下板机依据该台车的至少一对接机构而确定多个集成电路的至少一布置配置；由该集成电路上下板机依据该至少...

一种制造半导体结构的方法包括：在第一介电材料中形成第一开口；在第一开口中形成第一阻挡层；在第一阻挡层上形成包括铜和锰的第一晶种材料，其中第一晶种材料的锰在0.10at％至0.40at％的范围内；在第一晶种材料上形成第一导电材料；以及将第...

本发明公开了一种半导体结构制造方法与半导体结构制造系统，半导体结构制造方法包含以下流程。在半导体机台输入多个产品设计参数以及多个工艺控制参数，以形成测试结构。通过膜厚测量单元测量测试结构的实验膜厚信息。将产品设计参数、工艺控制参数与实验...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括接合第二装置晶圆至第一装置晶圆，以使包括介电质对介电质接合接口和金属对金属接合接口的第一接合接口形成于所述第一装置晶圆及所述第二装置晶圆之间，其中所述第二装置晶圆电性耦合至所述第一装置晶圆，且所述...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括接合第二装置晶圆至第一装置晶圆，以使包括融熔接合接口的第一接合接口形成于所述第一装置晶圆及所述第二装置晶圆之间，其中所述第一装置晶圆与所述第二装置晶圆为相同类型的装置晶圆。本发明也提供一种半导体装...

本发明公开了一种半导体设备及其操作方法，半导体设备的操作方法包括：录制正常影像信息，其中正常影像信息包括机械臂、从机械臂的喷嘴喷出时的液体、机械臂下方的晶圆及在晶圆上的液体；通过第一侦测器在垂直方向侦测第一影像，其中第一影像包括机械臂、...

本公开提供一种基底处理设备，包含一控制器以及至少一输入/输出腔室。该至少一输入/输出腔室包括一装载锁定装置，其具有一基座、一导轨、一平台以及一光学测量模块，其中该导轨连接到该基座。该平台可移动地设置在该导轨上，承载一晶圆匣，其具有一批多...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括基板、栅极、位线、上盖层、第一间隔件、绝缘层、第二间隔件以及旋涂介电层。栅极与位线位于基板上。栅极位于基板与位线之间。上盖层位于位线上。第一间隔件位于栅极、位线以及上盖层的侧壁上。绝...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：在半导体基板上形成栅极结构，其中半导体基板具有浅沟槽隔离、绝缘衬垫及导体；在栅极结构上形成牺牲层；在半导体基板、栅极结构的侧壁以及牺牲层的侧壁上形成绝缘层；在绝缘层上形成...

本公开提供一种基底处理装置及离子注入器的调整方法。该基底处理装置包含一离子注入器以及一处理器，该处理器与该离子注入器相关联。该离子注入器经配置以使用一离子束将多个离子注入到一基底中。该处理器经配置以监控该离子束的一初始注入轮廓并调整该离...

本公开提供一种界定不同光阻图案的双重显影方法。该双重显影方法包含：提供一基底，该基底包括一周围区以及一阵列区，该阵列区邻近该周围区；使用一双型光阻而形成一光阻层在该基底上；通过一第一光遮罩而将该光阻层曝光到辐射，以界定出一第一图案在该周...

本公开提供一种具有气隙的半导体元件及其制备方法，用以降低两个导电部件之间的寄生电容。该制备方法包括：形成一第一源/漏极区域和一第二源/漏极区域于一半导体基板中，以及形成一第一导电部件于该第一源/漏极区域之上并电性连接至该第一源/漏极区域...

一种具有气隙的半导体元件及其制备方法，该气隙降低在一位元线与一电容器接触点之间的寄生电容。该半导体元件的制备方法包括形成一第一源极/漏极区以及一第二源极/漏极区在一半导体基底中；形成一位元线在第一源极/漏极区上且电性连接到第一源极/漏极...

本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一鳍件；一栅极结构，设置在该鳍件上；多个杂质区，设置在该鳍件的两侧上；多个接触点，设置在所述杂质区上；以及多个导电覆盖层，设置在所述接触点上。所述导电覆盖层包含锗化铜。...

本发明公开了一种制造半导体装置的方法，包含：在基板的前侧表面上形成第一结构与第二结构，其中第一结构与第二结构之间定义分离区域。在基板的分离区域中自基板的前侧表面形成沟槽。自基板的背侧表面薄化基板至沟槽的底部，以分离第一结构与第二结构。本...

本发明公开了一种半导体装置和其形成方法，半导体装置包括基板、位于基板上的金属比特线、位于金属比特线的相对两侧壁上的比特线间隔层、邻近金属比特线的接触件、位于接触件的相对两侧壁上的接触件间隔层、介于比特线间隔层和接触件间隔层之间的气隙、位...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一空气栅极间隙子，用以降低寄生电容。该半导体元件包含一堆叠结构、一第一侧壁间隙子以及一第二侧壁间隙子。该堆叠结构位在一半导体基底上。该第一侧壁间隙子与该第二侧壁间隙子覆盖...

一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包含一鳍片；一栅极结构，设于该鳍片上；一掺杂区，设于该鳍片的一侧；一接触件，设于该掺杂区上；以及一导电覆盖层，设于该接触件上，其中该导电覆盖层包含锗化铜。该导电覆盖层包含锗化铜。该导电覆盖层包含锗...

揭露一种测试系统。测试系统包含测试机、第一电压稳定电路以及待测试装置。测试机产生第一操作电压以及控制信号。第一电压稳定电路传输关联于第一操作电压的第二操作电压至插座板。待测试装置使用通过插座板接收的第二操作电压作动。第一电压稳定电路还用...

本公开提供一种具有散热单元的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一晶粒堆叠；一中介接合层，设置在该晶粒堆叠上；以及一载体结构。该载体结构包括一载体基底以及多个半导体贯穿通孔，该载体基底设置在该中介接合层上，所述半导体贯穿...