本公开提供一种用于半导体元件的无图案塌陷的湿式清洗制备方法。通过使用含氟气体如C2F6进行后反应离子蚀刻(RIE)，然后在单晶圆清洗机(SWC)中用稀释的氢氟酸(HF)或氨和HF溶液进行清洗，可以获得具有多个无图案塌陷的高纵横比浅沟槽隔...

本公开提供一种具有存储器结构的半导体结构和该半导体结构的制备方法。该半导体结构包括：一第一层、该第一层上的一第二层、该第二层上的一第三层，以及一沟槽电容器。该沟槽电容器经设置在一穿透该第一层、该第二层和该第三层的沟槽中。该沟槽电容器包括...

本公开提供一种多个光阻图案的界定方法。该方法包含：提供一基底，该基底具有一周围区以及一阵列区，该阵列区邻近该周围区；涂布一双型光阻在该基底上以形成一光阻层；依序经由一第一光罩以及一第二光罩而将该光阻层曝光于紫外线辐射，以界定多个沟槽图案...

本公开提供一种具有一铜锰衬层的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一电极以及一第二电极，设置在一第一介电层中。该半导体元件亦具有一第一衬垫，将该第一电极与该第一介电层分隔开。该半导体元件还具有一熔丝链，设置在该第一介...

本公开提供一种具有铜锰衬层的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一井区以及一第二井区，设置在一半导体基底中。该半导体元件亦具有一第一介电层，设置在该半导体基底上并覆盖该第一井区与该第二井区；以及一栅极结构，设置在该第...

本公开提供一种具有氟化铝阻障层的半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一电路层，设置在该基底上；一垫层，设置在该电路层中且包含铝及铜；一第一阻障层，设置在该电层上并包含氟化铝；以及一第一连接件，设置在该第一阻障层...

本公开提供一种存储器结构的制备方法。该制备方法包括以下操作：接收一基底；在该基底中形成一着陆垫层；在该着陆垫层上形成一沟槽；以及在该沟槽上形成一顶垫以形成一电容器阵列。在该着陆垫层上形成该沟槽的步骤包括：在该着陆垫层上形成具有一阵列图案...

本公开提供一种在环绕式栅极晶体管之间具有气隙的半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一栅极堆叠以及一第二栅极堆叠，设置在一半导体基底上。该第一栅极堆叠与该第二栅极堆叠至少其中一个具有多个栅极层，且该第一栅极堆叠与该第...

本公开提供一种半导体元件和该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一第一基底，该第一基底包括一中心区域和远离该中心区域的一边缘区域；设置在该第一基底上的一第一电路层；设置在该第一电路层中和该中心区域上方的一中心电源垫；设置在该第一电路层...

本公开提供一种半导体存储器元件及该半导体存储器元件的制备方法。该制备方法的步骤具有提供一基底，包括一存储区以及一周围区，其中该存储区具有一接触栓塞、一位元线结构、一气隙、一阻障层以及一着陆垫，该位元线结构邻近该接触栓塞设置，该气隙设置在...

本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一电极，包括一第一垂直柱以及一第一下分支单元，该第一下分支单元设置在一第一垂直位面处并具有一第一组下板，该第一组下板从该第一垂直柱延伸并平行一第一方向；二第二电极，...

本公开提供一种半导体测试系统及方法。该半导体测试方法包括以下操作：接收以一直译语言(interpreted language)编写的一原始码；以及通过一第一测试设备且基于该原始码对一待测元件(device under test，DUT)...

本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一电路层，设置在该基底上且具有一功能方块以及一测试垫，该功能方块设置在该基底上，该测试垫设置在基底上并远离该功能方块；一重分布结构，设置在该电路层上并具有一第一...

本公开提供一种半导体存储器元件的制备方法。本公开的制备方法包含：提供一半导体存储器基底，该半导体存储器基底具有多个沟槽；共形地形成一第一氮化硅层在该多个沟槽上；使用原子层沉积而执行离子植入以介于大约5度到大约30度之间的一倾斜角植入一掺...

本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一目标层；一孔洞，从该目标层的一上表面朝内设置，并具有一下表面以及邻接该下表面的两端的二侧壁；一第一阻障层，共形地设置在该孔洞的该下表面上以及在该孔洞的该二侧壁上；一第...

本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一半导体结构、一第一重分布结构以及一第二半导体结构，该第一半导体结构包括一第一基底以及一第一电路层，该第一电路层设置在该第一基底上，该第一重分布结构设置在该第一电路...

本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一半导体结构、一第二半导体结构、一半导体贯穿通孔以及一隔离层。该第一半导体结构具有一第一电路层以及一第一主接合层，该第一主接合层在该第一电路层中且大致与该第一电路层...

本公开提供一种具有一次性可程序化存储器阵列及该一次性可程序化存储器阵列的制备方法。该存储器阵列具有多个主动区；多对程序化字元线与读取字元线；以及多个虚拟字元线。该等主动区在一半导体基底中沿着一第一方向延伸，并沿着一第二方向分开地配置。该...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括提供一基底，该基底包括一绝缘区、一主动区以及一第一上表面，该主动区邻近该绝缘区，其中该绝缘区具有一绝缘沟槽，该绝缘沟槽填充有一介电材料，而该主动区具有一栅极沟槽，该栅极沟槽填充有一栅极...

本公开提供一种具有蜿蜒导电特征的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构具有一导电垫，设置在一半导体基底中；以及一第一遮罩层，设置在该半导体基底上。该半导体元件结构亦具有一第二遮罩层，设置在该第一遮罩层上。该第一遮罩层与该第二遮罩层...