一次性可程序化存储器阵列及其制备方法技术

本公开提供一种具有一次性可程序化存储器阵列及该一次性可程序化存储器阵列的制备方法。该存储器阵列具有多个主动区；多对程序化字元线与读取字元线；以及多个虚拟字元线。该等主动区在一半导体基底中沿着一第一方向延伸，并沿着一第二方向分开地配置。该等程序化字元线、该等读取字元线以及该等虚拟字元线在该半导体基底上沿着该第二方向延伸。在其中一个主动区与一对该程序化字元线以及该读取字元线交叉中的一区域，界定出一单元胞在该存储器阵列中。该等虚拟字元线分别设置在相邻对的该等程序化字元线与该等读取字元线之间。在其中一个主动区与其中一个虚拟字元线交叉中的一区域，界定出一绝缘晶体管。界定出一绝缘晶体管。界定出一绝缘晶体管。

【技术实现步骤摘要】
一次性可程序化存储器阵列及其制备方法


[0001]本公开主张2021年3月26日申请的美国正式申请案第17/214,494号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开关于一种存储器元件及其制备方法。特别涉及一种具有一次性可程序化(OTP)存储器阵列的半导体元件及该半导体元件的制备方法。

技术介绍

[0003]非易失性存储器元件即使在其关闭电源时仍能保留数据。依据可程序化次数，该等非易失性存储器元件还可区分成多次性可程序化(MTP)存储器元件以及一次性可程序化(OTP)存储器元件。使用者可以对一MTP存储器元件进行多次的程序化，以修改存储在该MTP存储器元件中的数据。另一方面，一OTP存储器元件仅能进行一次程序化，且不能修改存储在该OTP 存储器元件中的数据。
[0004]再者，该OTP存储器元件可依据该OTP存储器元件的一程序化状态而分类成一熔丝型(fuse type)以及一反熔丝型(anti
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fuse type)。在被程序化之前，该熔丝型OTP存储器元件呈短路(s本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反熔丝一次性可程序化存储器阵列，包括：多个主动区，在一半导体基底中沿着一第一方向延伸，并沿着一第二方向分开地配置；多对程序化字元线与读取字元线，在该半导体基底上沿着该第二方向延伸，其中，其中一个主动区与其中一对该程序化字元线以及该读取字元线交叉的一区域，界定出在该反熔丝一次性可程序化存储器阵列中的一单元胞；以及多个虚拟字元线，在该半导体基底上沿着该第二方向延伸，且分别设置在相邻对的该等程序化字元线与该等读取字元线之间，其中，其中一个主动区与其中一虚拟字元线交叉的一区域界定出一绝缘晶体管。2.如权利要求1所述的反熔丝一次性可程序化存储器阵列，其中该绝缘晶体管经配置以维持在一关闭状态。3.如权利要求1所述的反熔丝一次性可程序化存储器阵列，其中多个存取晶体管分别界定在其中一个读取字元线与其中一个主动区的交叉处。4.如权利要求1所述的反熔丝一次性可程序化存储器阵列，其中多个反熔丝存储元件分别界定在其中一个程序化字元线与其中一个主动区的交叉处。5.如权利要求1所述的反熔丝一次性可程序化存储器阵列，其中每一个主动区连续延伸经过一列的该等单元胞以及该列的该等单元胞之间的该等绝缘晶体管。6.如权利要求1所述的反熔丝一次性可程序化存储器阵列，还包括一绝缘结构，嵌入该半导体基底中并侧向围绕每一个主动区。7.如权利要求1所述的反熔丝一次性可程序化存储器阵列，其中相邻对的该等程序化字元线与该等读取字元线对应对称于在延伸该相邻对的该等程序化字元线与该等读取字元线之间的该虚拟字元线。8.一种反熔丝一次性可程序化存储器阵列，包括：多个单元胞，沿着多个行及多个列配置，且每一个单元胞包括一存取晶体管以及一反熔丝存储元件，该反熔丝存储元件电性耦接到该存取晶体管的一源极/漏极端子；以及多个绝缘晶体管，其每一个电性耦接到在相同列中的相邻单元胞，并经配置以维持在一关闭状态，以使相邻的该等单元胞相互电性绝缘。9.如权利要求8所述的反熔丝一次性可程序化存储器阵列，其中该等绝缘晶体管为N型场效晶体管。10.如权利要求9所述的反熔丝一次性可程序化存储器阵列，其中等绝缘晶体管的的各栅极端子经配置以接收一负电压。11.如权利要求8所述的反熔丝一次性可程序化存储器阵列，其中该等反熔丝存储元件为双端子元件。12.如权利要求11所述的反熔丝一次性可程序化存储器阵列，其中该反熔丝存储元件为电容器。13.如权利要求8所述的反熔丝一次性可程序化存储器阵列，其中在一第一单元胞中的该存取晶体管的一源极/漏极端...

【专利技术属性】
技术研发人员：李维中，丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：