具有蜿蜒导电特征的半导体元件结构及其制备方法技术

本公开提供一种具有蜿蜒导电特征的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构具有一导电垫，设置在一半导体基底中；以及一第一遮罩层，设置在该半导体基底上。该半导体元件结构亦具有一第二遮罩层，设置在该第一遮罩层上。该第一遮罩层与该第二遮罩层包含不同材料。该半导体元件结构还具有一导电特征，穿经该第一遮罩层与该第二遮罩层以连接到该导电垫。在顶视图中，该导电特征具有一蜿蜒图案。该导电特征具有一蜿蜒图案。该导电特征具有一蜿蜒图案。

【技术实现步骤摘要】
具有蜿蜒导电特征的半导体元件结构及其制备方法


[0001]本申请案主张2021年3月10日申请的美国正式申请案第17/197,770号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开关于一种半导体元件结构及其制备方法。特别涉及一种具有蜿蜒导电特征的半导体元件结构及其制备方法。

技术介绍

[0003]对于许多现代应用，半导体元件是不可或缺的。随着电子科技的进步，半导体元件的尺寸变得越来越小，于此同时提供较佳的功能以及包含较大的集成电路数量。由于半导体元件的规格小型化，实现不同功能的半导体元件的不同形态与尺寸规模，整合(integrated)并封装(packaged)在一单一模块中。再者，许多制造步骤执行于各式不同形态的半导体装置的整合(integration)。
[0004]然而，该等半导体元件的制造与整合包含许多复杂步骤与操作。在该等半导体元件中的整合变得越加复杂。该等半导体元件的制造与整合的复杂度中的增加可造成多个缺陷。据此，有持续改善该等半导体元件的制造流程的需要，以便对付该等缺陷并可加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件结构，包括：一导电垫，设置在一半导体基底中；一第一遮罩层，设置在该半导体基底上；一第二遮罩层，设置在该第一遮罩层上，其中该第一遮罩层与该第二遮罩层包含不同材料；以及一导电特征，穿经该第一遮罩层与该第二遮罩层以连接到该导电垫，其中在一顶视图中，该导电特征具有一蜿蜒图案。2.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该第二遮罩层包含具有sp3键结的一类钻石碳材料。3.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该第二遮罩层掺杂有碳。4.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该导电特征还包括：一导电层；以及一阻障层，将该导电层与该导电垫、该第一遮罩层以及该第二遮罩层分隔开。5.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该导电特征的该蜿蜒图案包括：一第一线段以及一第二线段，在顶视图中沿着一第一方向延伸；以及一连接段，在顶视图中沿着一第二方向延伸且实体连接该第一线段与该第二线段，其中该连接段沿着该第一方向具有一宽度，且该第一线段与该第二线段之间的一最短距离小于该连接断肢开该宽度的两倍。6.如权利要求5所述的半导体元件结构，其中该第一方向垂直于该第二方向，且在顶视图中，该连接段的一边缘大致对准该第一线段的一边缘以及该第二线段的一边缘。7.一种半导体元件结构，包括：一导电垫，设置在一半导体基底中；一第一遮罩层，设置在该半导体基底上；一第二遮罩层，设置在该第一遮罩层上；以及一导电特征，设置在该第一遮罩层与该第二遮罩层中，且电性连接到该导电垫，其中该导电特征具有：一连接段，沿着一第一方向延伸；以及一第一线段以及一第二线段，沿着一第二方向延伸，其中该第一线段与该第二线段通过该连接段而实体连接，且该连接段的一边缘大致对准该第一线段的一边缘以及该第二线段的一边缘。8.如权利要求7所述的半导体元件结构，其中该第一方向垂直于该第二方向。9.如权利要求7所述的半导体元件结构，其中该第一方向与该第二方向平行于该导电特征的一上表面。10.如权利要求7所述的半导体元件结构，其中该连接段沿着该第二方向具有一宽度，且在该第一线段与该第二线段之间的一最短距离小于该连接段的该宽度的两倍。11.如权利要求7所述的半导体元件结构，其中该第一遮罩层包含氮化硅或氮氧化硅，该第二遮罩层包含具...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏国辉，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：