本公开提供一种栅极结构上具有碳衬垫的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包含一栅极结构，设置在一半导体底上。该半导体元件亦具有一碳衬垫，覆盖该栅极结构的一上表面与各侧壁以及覆盖该半导体基底的一上表面。该半导体元件还具有一位元...

本发明公开了一种半导体制造系统、测量装置及半导体制造方法，其中半导体制造系统包含蚀刻工具及测量装置。蚀刻工具用以乘载第一晶圆，并用以处理第一晶圆的第一背面。测量装置设置于蚀刻工具内，其中测量装置包含摄影机及控制器。摄影机用以针对第一晶圆...

本公开提供一种具有含锰互连结构的半导体元件结构及该半导体元件结构的制备方法。该半导体元件结构具有一第一互连结构，设置在一半导体基底中；一介电层，设置在该半导体结构上；以及一第二互连结构，设置在该介电层中并电性连接到该第一互连结构。该第一...

本公开提供一种具有可程序化单元的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一下导电层，设置于该基底中；一隔离层，设置于该基底上；一第一导电层，设置于该隔离层上以及在该下导电层上方；一第二导电层，设置于该隔离层上以及在该...

本发明提供一种制造晶圆对晶圆互连结构及其制造方法，所述制造晶圆对晶圆互连结构包括形成具有至少两部分的第一蚀刻停止层于第一基板的第一表面上，且形成空隙于第一蚀刻停止层的一部分中。第二蚀刻停止层形成于第二基板的第一表面上，且将第一基板的第一...

本公开提供一种具有多个临界电压的半导体元件以及具有所述临界电压的该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一第一栅极结构，位在该基底中并具有一第一深度以及一第一临界电压；以及一第二栅极结构，位在该基底中并具有一第二深度以及一第二临...

本发明公开了一种晶圆容器，包括容器本体、多个支撑结构及至少一个过滤器。容器本体具有密闭的容置空间。多个支撑结构纵向排列于容置空间内。至少一个过滤器用于过滤气体分子污染物，其中至少一个过滤器设置于容置空间内，多个支撑结构的一个承载至少一个...

本发明公开了一种半导体曝光机校正方法以及半导体结构制造方法，半导体曝光机校正方法包括以下流程。第一半导体曝光机通过第一光罩图形与第二光罩图形分别形成依序堆叠的第一测试层以及第二测试层。第一测试层与第二测试层分别具有第一图案与第二图案。第...

本发明公开了一种清洗装置及清洗方法，清洗装置包括壳体、承载台、清洗液喷嘴、供气单元、抽风单元以及气阀单元。壳体具有容置空间。承载台设置于壳体内并用以转动放置于承载台上的晶圆。清洗液喷嘴朝向承载台上的晶圆。供气单元设置于壳体内并用以朝向承...

本案公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一堆叠结构设置于一第一基底；一第一杂质区域与一第二杂质区域分别设置于该第一堆叠结构相对的侧边并与该第一堆叠结构操作性地关联；一第二堆叠结构设置于该第一堆叠结构，且一中间绝缘层设置于...

本公开提供一种集成电路的可编程元件的电阻状态的鉴定方法。该鉴定方法包括下列步骤：设定一第一极性的一第一编程电压以编程该集成电路的该可编程元件；在一第一温度下设定该第一极性的一第一读取电压到该集成电路，以获得一第一读取电流，并由该第一读取...

本公开提供一种具有冠状结构与互连部的下电容器电极的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构具有一电容器接触点，设置在一半导体基底上；以及一介电层，设置在该电容器接触点上。该半导体元件结构亦具有一图案化遮罩，设置在该介电层上；以及一下...

本公开提供一种具有多个电容器着陆垫的半导体结构的制备方法。该制备方法包括下列步骤：提供一半导体基底；形成一位元线结构，其从该半导体基底突伸；沉积一着陆垫层以覆盖该位元线结构；平坦化该着陆垫层的一上表面；形成一沟槽在该着陆垫层中，以形成多...

本公开提供一种具有P

本发明公开了一种晶圆清洗装置及清洗晶圆的方法，晶圆清洗装置包括承载台、至少一个喷嘴、底盘、上壳体及下壳体。承载台用于承载晶圆，晶圆的顶面涂布有光阻剂。至少一个喷嘴用以朝向晶圆喷洒清洗溶液。底盘用于回收清洗溶液。下壳体设置于底盘上。上壳体...

本发明公开了一种具有气隙区的半导体结构的制造方法，包括：形成牺牲材料层及导电元件，牺牲材料层侧向邻接导电元件；在导电元件及牺牲材料层上形成遮罩图案；根据遮罩图案移除牺牲材料层的一部分，以露出剩余的牺牲材料层的侧表面；以及从剩余的牺牲材料...

本公开提供一种具有一共享电极的多个电容器的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一第一电容器单元、一第二电容器单元以及一连接结构。该第一电容器单元具有一下导电结构以及一共享导电层，该下导电结构朝内位在该基底中，该共...

本发明公开了一种曝光机的操作方法，包括在晶圆的第一层上执行曝光，其中曝光的步骤依序地执行于覆盖第一层的多个第一曝光区域上；在晶圆的第二层上执行曝光，其中第二层在第一层上，曝光的步骤依序地执行于覆盖第一层的多个第二曝光区域上；以及在覆盖晶...

本发明提出一种智能保养排程系统与方法及非暂态电脑可读取记录媒体，智能保养排程方法包含以下步骤。基于过去机台特征数据，估算未来多日的在制品数量；基于多机台的产速数据及状态侦测，估算未来多日中多机台的产能；基于多日的在制品数量与多日中多机台...

本公开提供一种具有含锰导电栓塞的半导体元件结构及该半导体元件结构的制备方法。该半导体元件结构具有一第一导电层以及一介电层，该第一导电层设置在一半导体基底上，该介电层设置在该第一导电层上。该半导体元件结构亦具有一第一导电栓塞以及一衬垫层，...