半导体元件及其制备方法技术

本公开提供一种具有一共享电极的多个电容器的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一第一电容器单元、一第二电容器单元以及一连接结构。该第一电容器单元具有一下导电结构以及一共享导电层，该下导电结构朝内位在该基底中，该共享导电层位在该下导电结构上，且一第一隔离层插置在该共享导电层与该下导电结构之间。该第二电容器单元具有该共享导电层以及一上导电层，该上导电层位在该共享导电层上，且一第二隔离层插置在该共享导电层与该上导电层之间。该连接结构电性连接该下导电结构与该上导电层，以使该第一电容器单元与该第二电容器单元是呈平行。电容器单元与该第二电容器单元是呈平行。电容器单元与该第二电容器单元是呈平行。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制备方法


[0001]本申请案主张2020年12月11日申请的美国正式申请案第17/119,771号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开是关于一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。特别是有关于一种具有一共享电极的多个电容器的半导体元件以及具有该共享电极的所述电容器的该半导体元件的制备方法。

技术介绍

[0003]半导体元件是使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸是逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的制程期间，是增加不同的问题，且如此的问题在数量与复杂度上持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。
[0004]上文的「先前技术」说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的「先前技术」说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的「先前技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

[0005]本公开的一实施例提供一种半导体元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一基底；一第一电容器单元，包括：一下导电结构，朝内位在该基底中；以及一共享导电层，位在该下导电结构上，且一第一隔离层插置在该共享导电层与该下导电结构之间；一第二电容器单元，包括：该共享导电层；以及一上导电层，位在该共享导电层上，且一第二隔离层插置在该共享导电层与该上导电层之间；以及一连接结构，电性连接该下导电结构与该上导电层，以使该第一电容器单元与该第二电容器单元是呈平行。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二隔离层的一宽度是大于该共享导电层的一宽度。3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括多个第一间隙子，位在该共享导电层的各侧壁上。4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该连接结构包括一第一导电通孔、一第二导电通孔以及一导电线，该第一导电通孔电性连接该上导电层，该第二导电通孔电性连接该下导电结构，该导电线水平地位在该第一导电通孔与该第二导电通孔上，并电性连接该第一导电通孔与该第二导电通孔。5.如权利要求4所述的半导体元件，还包括一辅助导电层，位在该第二导电通孔与该下导电结构之间，其中，该辅助导电层包含硅化钛、硅化镍、硅化镍铂、硅化钽或硅化钴。6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该辅助导电层的一厚度是介于大约2nm到大约20nm之间。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该第一隔离层为一氧化物
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氮化物
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氧化物结构。8.如权利要求6所述的半导体元件，其中该第一隔离层包含一隔离材料，该隔离材料具有一介电常数，该介电常数大约为4.0或更大。9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一界面层，位在该下导电结构与该第一隔离层之间，其中，该界面层包含氧化硅。10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该界面层的一厚度是介于大约到大约之间。11.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄至伟，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：