栅极结构上具有碳衬垫的半导体元件及其制备方法技术

本公开提供一种栅极结构上具有碳衬垫的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包含一栅极结构，设置在一半导体底上。该半导体元件亦具有一碳衬垫，覆盖该栅极结构的一上表面与各侧壁以及覆盖该半导体基底的一上表面。该半导体元件还具有一位元线接触点，设置在该半导体基底上。该位元线接触点延伸在该栅极结构上，以及该位元线接触点通过该碳衬垫而与该栅极结构电性分隔。碳衬垫而与该栅极结构电性分隔。碳衬垫而与该栅极结构电性分隔。

【技术实现步骤摘要】
栅极结构上具有碳衬垫的半导体元件及其制备方法
[0001]交叉引用
[0002]本申请主张2021年1月26日申请的美国正式申请第17/158,564号的优先权及益处，该美国正式申请的内容以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开关于一种半导体元件及其制备方法。特别涉及一种栅极结构上具有碳衬垫的半导体元件及其制备方法。

技术介绍

[0004]对于许多现代应用，半导体元件是不可或缺的。随着电子科技的进步，半导体元件的尺寸变得越来越小，于此同时提供较佳的功能以及包含较大的集成电路数量。由于半导体元件的规格小型化，实现不同功能的半导体元件的不同形态与尺寸规模，整合(integrated)并封装(packaged)在一单一模块中。再者，许多制造步骤执行于各式不同形态的半导体装置的整合(integration)。
[0005]然而，该等半导体元件的制造与整合包含许多复杂步骤与操作。在该等半导体元件中的整合变得越加复杂。该等半导体元件的制造与整合的复杂度中的增加可造成多个缺陷，例如在相邻导电特征之间的短路与漏电流，而短路与漏电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一栅极结构，设置在一半导体基底上；一碳衬垫，覆盖该栅极结构的一上表面与各侧壁以及覆盖该半导体基底的一上表面；以及一位元线接触点，设置在该半导体基底上，其中该位元线接触点延伸在该栅极结构上，以及该位元线接触点通过该碳衬垫而与该栅极结构电性分隔。2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一介电层，设置在该碳衬垫上，其中该介电层与该碳衬垫包含不同材料。3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一图案化遮罩，设置在该介电层上，其中该图案化遮罩的一上表面大致齐平于该位元线接触点的一上表面。4.如权利要求3所述的半导体元件，其中在该介电层与该位元线接触点之间的一界面大致对准在该图案化遮罩与该位元线接触点之间的一界面。5.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：一第一源极/漏极区以及一第二源极/漏极区，设置在该半导体基底中以及设置在该栅极结构的相反两侧上；以及一位元线，设置在该位元线接触点上，其中该位元线经由该位元线接触点而电性连接到该第一源极/漏极区。6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括：一电容器接触点，设置在该第二源极/漏极区上，并穿经该碳衬垫；以及一电容器，设置在该电容器衬垫上，其中该电容器经由该电容器接触点而电性连接到该第二源极/漏极区。7.一种半导体元件，包括：一第一栅极结构以及一第二栅极结构，设置在一半导体底上；一位元线接触点，设置在该半导体基底上且设置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间；一碳衬垫，覆盖该第一栅极结构与该第二栅极结构，其中该位元线接触点通过该碳衬垫而与该第一栅极结构及该第二栅极结构电性分隔；以及一介电层，设置在该碳衬垫上，其中该位元线接触点穿经该介电层。8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一栅极结构的一上表面与各侧壁以及该第二栅极结构的一上表面与各侧壁完全被该碳衬垫所覆盖。9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该位元线接触点延伸到位于该第一栅极结构上的该碳衬垫的一上表面上以及延伸到位于该第二栅极结构上的该碳衬垫的一上表面上。10.如权利要求7所述的半导体元件，还包括：一第一源极/漏极区，设置在该半导体基底中，且设置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间；以及一位元线，设置在该位元线接触点上，其中该位元线竟由该位元线接触点而电性连接到该第一源极/漏极区。11.如权利要求7所述的半导体元件，还包括：一第二源极/漏极区，设置在该半导体基底中，其中该第一栅极结构位于该第一源极/
漏极区与该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊亨，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：