半导体存储器结构及其形成方法技术

一种半导体存储器结构及其形成方法，所述半导体存储器结构包含半导体衬底，半导体衬底包含主动区和截断区，此半导体存储器结构还包含设置于截断区中的隔离结构、至少延伸通过截断区中的隔离结构的第一栅极结构、以及至少延伸通过主动区的第二栅极结构，此半导体存储器结构还包含设置于主动区中的掺杂区，掺杂区与第一栅极结构之间的距离小于掺杂区与第二栅极结构之间的距离。极结构之间的距离。极结构之间的距离。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器结构及其形成方法


[0001]本申请有关于一种半导体存储器结构及其形成方法，且特别是有关于动态随机存取存储器。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)装置广泛地应用于消费性电子产品中。为了增加动态随机存取存储器装置内的元件密度以及改善其整体表现，目前动态随机存取存储器装置的制造技术持续朝向元件尺寸的微缩化而努力。然而，当元件尺寸持续缩小时，许多挑战随之而生。例如，改善源极/漏极接面漏电流(junction leakage)。因此，业界仍需要改进动态随机存取存储器装置的制造方法，以克服元件尺寸缩小所产生的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供半导体存储器结构。此半导体存储器结构包含半导体衬底，半导体衬底包含主动区和截断区。此半导体存储器结构还包含设置于截断区中的隔离结构、至少延伸通过截断区中的隔离结构的第一栅极结构、以及至少延伸通过主动区的第二栅极结构。此半导体存储器结构还包含设置于主动区中掺杂区，掺杂区与第一栅极结构之间的距离小于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器结构，其特征在于，包括：一半导体衬底，包括一主动区和一截断区；一隔离结构，设置于所述截断区中；一第一栅极结构，至少延伸通过所述截断区中的所述隔离结构；一第二栅极结构，至少延伸通过所述主动区；以及一掺杂区，设置于所述主动区中，其中所述掺杂区与所述第一栅极结构之间的一第一距离小于所述掺杂区与所述第二栅极结构之间的一第二距离。2.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，还包括：一源极/漏极区，设置于所述主动区中且介于所述第二栅极结构与所述隔离结构之间，其中所述掺杂区介于所述源极/漏极区于所述隔离结构之间。3.根据权利要求2所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述掺杂区具有一第一导电型态，且所述源极/漏极区具有与所述第一导电型态相反的一第二导电型态。4.根据权利要求2所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述掺杂区的底面低于所述源极/漏极区的底面。5.根据权利要求2所述的半导体存储器结构，其特征在于，还包括：一接触插塞，设置于所述源极/漏极区和所述掺杂区上。6.根据权利要求2所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述源极/漏极区的掺杂浓度大于所述掺杂区的掺杂浓度。7.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述隔离结构包括：一衬层以及设置于所述衬层之上的一绝缘材料，其中所述隔离结构的所述衬层介于所述第一栅极结构与所述掺杂区之间，其中所述半导体存储器结构还包括：一盖层，设置于所述第一栅极结构之上，其中所述隔离结构的所述衬层介于所述盖层与所述掺杂区之间。8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王喻柏，简毅豪，刘祥伯，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：