具有复合模制层的半导体结构制造技术

本发明专利技术构思的半导体结构包括：芯片区域，其包括基板上的多个半导体芯片；以及外围区域，其位于芯片区域的外围处，外围区域包括模制结构。模制结构可包括在基板上的基础模制层和在基础模制层上的复合模制层，复合模制层包括至少一个弯曲牺牲层和至少一个弯曲防止层。括至少一个弯曲牺牲层和至少一个弯曲防止层。括至少一个弯曲牺牲层和至少一个弯曲防止层。

Semiconductor structure with composite molding layer

【技术实现步骤摘要】
具有复合模制层的半导体结构
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求于2021年1月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0003566的优先权，该申请的内容以引用方式全部并入本文中。


[0003]本专利技术构思涉及一种半导体结构，更具体地，涉及一种包括模制层的半导体结构。

技术介绍

[0004]基于对半导体装置(例如，动态随机存取存储器(DRAM)装置)的更高集成度的需求，半导体装置的电容器的尺寸也正在减小。然而，即使当电容器的尺寸减小时，半导体装置的单位单元所需的电容也具有相同值或更大的值。因此，电容器的高度(例如，底部电极的高度)增加，并且用于形成底部电极的模制层的高度也增加。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思提供一种包括即使在电容器的高度增加时也易于形成电容器的模制层的半导体结构，即，提供一种包括复合模制层的半导体结构。
[0006]根据本专利技术构思的实施例，提供了一种基板上的半导体结构，该半导体结构包括：芯片区域，其包括基板上的多个半导体芯片；以及外围区域，其在芯片区域的外围处，外围区域包括模制结构。模制结构可包括在基板上的基础模制层和在基础模制层上的复合模制层，复合模制层包括至少一个弯曲牺牲层和至少一个弯曲防止层。
[0007]根据本专利技术构思的实施例，提供了一种基板上的半导体结构，该半导体结构包括：芯片区域，其包括基板上的多个半导体芯片；以及外围区域，其在芯片区域的外围处，外围区域包括模制结构。模制结构可包括：基础模制层，其在基板上；在基础模制层上的复合模制层，复合模制层包括至少一个弯曲牺牲层和至少一个弯曲防止层；以及支承件层，其位于基础模制层下方或复合模制层上。
[0008]根据本专利技术构思的实施例，提供了一种基板上的半导体结构，该半导体结构包括：芯片区域，其包括基板上的多个半导体芯片；以及外围区域，其在芯片区域的外围处并且包括模制结构。模制结构可以包括在基板上的下基础模制层、在下基础模制层上的下支承件层、在下支承件层上的上基础模制层、在上基础模制层上并且包括至少一个弯曲牺牲层和至少一个弯曲防止层的复合模制层、以及在复合模制层上的上支承件层。
附图说明
[0009]从下面结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本专利技术构思的示例实施例，在附图中：
[0010]图1是根据一些示例实施例的半导体结构的俯视图；
[0011]图2是沿图1中所示的线II
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II'截取的半导体结构的截面图；
[0012]图3是根据一些示例实施例的图2中所示的半导体结构的一部分的放大图；
[0013]图4是根据一些示例实施例的图2中所示的半导体结构的一部分的放大图；
[0014]图5是根据一些示例实施例的图2中所示的半导体结构的一部分的放大图；
[0015]图6A和图6B分别是根据一些示例实施例的模制结构和根据比较示例的模制结构的截面图；
[0016]图7是根据一些示例实施例的包括在半导体结构中的半导体芯片的俯视图；
[0017]图8是沿图7中所示的线B
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B'截取的截面图；
[0018]图9是根据一些示例实施例的包括在半导体结构中的半导体芯片的截面图；
[0019]图10是根据一些示例实施例的包括在半导体结构中的半导体芯片的截面图；
[0020]图11是根据一些示例实施例的包括在半导体结构中的半导体芯片的截面图；
[0021]图12至图18是用于描述根据一些示例实施例的制造包括在半导体结构中的半导体芯片的方法的截面图；
[0022]图19和图20是用于描述根据一些示例实施例的制造包括在半导体结构中的半导体芯片的方法的截面图；
[0023]图21是根据一些示例实施例的包括在半导体结构中的半导体芯片的俯视图；
[0024]图22是图21所示的半导体芯片的透视图；
[0025]图23A和图23B分别是沿图21所示的线X1
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X1'和线Y1
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Y1'截取的截面图；
[0026]图24是根据一些示例实施例的包括在半导体结构中的半导体芯片的俯视图，且图25是图24中所示的半导体芯片的透视图；以及
[0027]图26示出了根据一些示例实施例的包括半导体结构中所包括的半导体芯片的系统。
具体实施方式
[0028]在下文中，将参照附图详细地描述本专利技术构思的示例实施例。本专利技术构思的以下实施例可以通过(例如，一个)示例实施例来实现和/或还可以通过一个或多个实施例的组合来实现。因此，本专利技术构思不应被解释为限于一个实施例。
[0029]尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但这些元件、部件、区域、层和/或区段不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一个元件、部件、区域、层或区段区分开。因此，在不脱离本公开的范围的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或区段可以被称为第二元件、部件、区域、层或区段。
[0030]为了便于描述，在本文中可以使用诸如“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等的空间相对术语来描述附图中所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。将理解，空间相对术语旨在除了图中所描绘的定向之外还包括装置在使用或操作中的不同定向。装置可以以其它方式定向(旋转90度或处于其它方位)，并且相应地解释本文所使用的空间相对描述。此外，当元件被称为在两个元件“之间”时，该元件可以是该两个元件之间的唯一元件，或者可以存在一个或多个其他中间元件。
[0031]当术语“约”或“基本上”在本说明书中与数值结合使用时，其意图是相关联的数值包括在所述数值附近的制造公差(例如，
±
10％)。此外，当词语“大致”和“基本上”与几何形
状结合使用时，其意图是几何形状的精度不是必需的，而是形状的自由度在本公开的范围内。此外，无论数值或形状是否被“约”或“基本上”修饰，都将理解，这些值和形状应被解释为包括在所述数值或形状附近的制造或操作公差(例如，
±
10％)。
[0032]在本说明书中，除非明显指出其它情况，否则部件的单数形式可以包括部件的复数形式。为了更清楚地描述本专利技术构思，附图中的元件可能被夸大。
[0033]图1是根据一些示例实施例的半导体结构的俯视图。
[0034]参照图1，半导体结构10可以包括芯片区域16和在芯片区域16周围的外围区域18，芯片区域16包括在基板12的表面上的多个半导体芯片(和/或半导体装置)14。基板12可以是和/或可以包括半导体基板或半导体晶片。例如，基板12可以包括硅基板或硅晶片。
[0035]半导体芯片14可形成在基板12的芯片区域16中。例如，除了基板12的边缘的一部分之外，芯片区域16可位于(和/或覆盖)基板12本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板上的半导体结构，所述半导体结构包括：芯片区域，其包括所述基板上的多个半导体芯片；以及外围区域，其位于所述芯片区域的外围处，所述外围区域包括模制结构，其中，所述模制结构包括：基础模制层，其位于所述基板上；以及复合模制层，其位于所述基础模制层上，所述复合模制层包括至少一个弯曲牺牲层和至少一个弯曲防止层。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述至少一个弯曲牺牲层包括多个弯曲牺牲层，所述至少一个弯曲防止层包括多个弯曲防止层，并且所述多个弯曲牺牲层和所述多个弯曲防止层交替堆叠在所述复合模制层中。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述基础模制层在第一方向上比所述至少一个弯曲牺牲层厚，所述第一方向垂直于所述基板的上表面，并且所述基础模制层包括与所述至少一个弯曲牺牲层的材料相同且与所述至少一个弯曲防止层的材料不同的材料。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述至少一个弯曲牺牲层包括氧化硅、氮氧化硅和掺杂有非金属元素的氧化硅中的至少一种，并且所述至少一个弯曲防止层包括氮化硅和掺杂有非金属元素的氮化硅中的至少一种。5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：弯曲防止缓冲层，其位于所述至少一个弯曲牺牲层和所述至少一个弯曲防止层之间。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述至少一个弯曲牺牲层包括第一弯曲牺牲层和第二弯曲牺牲层，所述至少一个弯曲防止层包括第一弯曲防止层和第二弯曲防止层，并且所述复合模制层包括：第一弯曲防止复合层，其包括所述第一弯曲牺牲层和所述第一弯曲防止层，以及第二弯曲防止复合层，其位于所述第一弯曲防止复合层上，所述第二弯曲防止复合层包括所述第二弯曲牺牲层和所述第二弯曲防止层。7.根据权利要求6所述的半导体结构，还包括：弯曲防止缓冲层，其位于所述第一弯曲防止层和所述第二弯曲牺牲层之间。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，在所述复合模制层中，多个第一弯曲防止复合层、多个弯曲防止缓冲层和多个第二弯曲防止复合层顺序地堆叠在所述基础模制层上。9.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述第一弯曲牺牲层和所述第二弯曲牺牲层各自包括氧化硅、氮氧化硅和掺杂有非金属元素的氧化硅中的至少一种，所述第一弯曲防止层和所述第二弯曲防止层各自包括氮化硅和掺杂有非金属元素的氮化硅中的至少一种，并且
所述弯曲防止缓冲层包括氮氧化硅和掺杂有非金属元素的氮氧化硅中的至少一种。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体芯片各自包括至少一个电容器以及在所述至少一个电容器中所包括的下电极之间的支承件层。11.一种基板上的半导体结构，所述半导体结构包括：芯片区域，其包括在所述基板上的多个半导体芯片；以及外围区域，其位于所述芯片区域的外围处，所述外围区域包括模制结构，其中，所述模制结构包括：基础模制层，其位于所述基板上；复合模制层，其位于所述基础模制层上，所述复合模制层包括至少一个弯曲牺牲层和至少一个弯曲防止层；以及支承件层，其位于所述基础模制层...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴焕悦，金桓佑，李钟圭，崔哲焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：