半导体结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体结构，包括排列成阵列的多个有源图案以及包围所述多个有源图案的周围图案。至少一个分支图案连接在周围图案的内侧边缘上。分支图案与有源图案具有相同的延伸方向，且周围图案的端部与紧邻的有源图案的端部切齐。分支图案可使有源图案阵列与周围图案之间具有较均匀的图案密度，帮助绝缘层较容易完全填充有源图案和周围图案之间的间隙。的间隙。的间隙。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本技术涉及一种半导体结构，特别涉及一种包括阵列图案以及周围图案的半导体结构。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)属于一种挥发性存储器，包括由多个存储单元(memory cell)构成的阵列区(array area)以及由控制电路构成的周边区(peripheral area)。各个存储单元是由一个晶体管(transistor)以及与所述晶体管电连接的一个电容(capacitor)构成，由所述晶体管控制所述电容中的电荷的存储或释放，来达到存储资料的目的。控制电路通过横跨阵列区并且与各个存储单元电连接的字线(word line，WL)与位线(bit line，BL)，可定址至各个存储单元来控制各个存储单元的资料的存取。
[0003]目前，动态随机存取存储器的制作包括在半导体衬底上定义出多个有源区后，再以有源区为基础来制作存储单元。如何在衬底上制作出排列更紧密的有源区以获得更高集密度的动态随机存取存储器芯片，为本领域持续研究的课题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一衬底；多个有源图案设置在所述衬底中，分别沿着一第一方向延伸，并且沿着所述第一方向和一第二方向对齐排列；一周围图案设置在所述衬底中并且包围所述多个有源图案；以及至少一个分支图案，连接在所述周围图案的一内侧边缘上并且沿着所述第一方向延伸，其中，所述分支图案的端部与一紧邻的所述有源图案的端部沿着所述第二方向切齐。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向之间的夹角介于15度至130度之间。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述分支图案与至少一有源图案位于同一条沿着所述第一方向的延伸线上。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括多个沟槽，其切过所述周围图案而将所述周围图案分割成多个周围区块图案，其中，所述沟槽与至少一所述有源图案的端部位于同一条沿着所述第二方向的延伸线上。5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：许耀光，蔡建成，郑俊义，吴建山，贾世元，周芷伊，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：