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本公开提供一种栅极结构上具有碳衬垫的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包含一栅极结构，设置在一半导体底上。该半导体元件亦具有一碳衬垫，覆盖该栅极结构的一上表面与各侧壁以及覆盖该半导体基底的一上表面。该半导体元件还具有一位元线接...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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