清洗装置及清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种清洗装置及清洗方法，清洗装置包括壳体、承载台、清洗液喷嘴、供气单元、抽风单元以及气阀单元。壳体具有容置空间。承载台设置于壳体内并用以转动放置于承载台上的晶圆。清洗液喷嘴朝向承载台上的晶圆。供气单元设置于壳体内并用以朝向承载台抽送气体。抽风单元用以抽离承载台周遭的气体。气阀单元用以控制气体的气流量。借此，本发明专利技术的清洗装置，供气单元及气阀单元经由协同作用，以有效率地将清洗液喷嘴所喷出的清洗液抽离，进而避免清洗液回弹造成晶圆产生缺陷。而避免清洗液回弹造成晶圆产生缺陷。而避免清洗液回弹造成晶圆产生缺陷。

【技术实现步骤摘要】
清洗装置及清洗方法


[0001]本专利技术是涉及一种清洗装置及清洗方法，特别是涉及一种清洗晶圆的清洗装置及清洗方法。

技术介绍

[0002]光阻剂已广泛地使用在现今的集成电路的工艺中。光阻剂通常是由涂布设备在硅晶圆旋转时将光阻剂喷洒在硅晶圆表面并成形。
[0003]在旋转涂布过程中，通过位于硅晶圆周围的保护罩来避免溅射的光阻剂污染周边环境。然而，通过保护罩在防止污染的同时，也容易造成硅晶圆表面的图形缺陷，尤其在晶边清洗(Bevel Rinse)时更为严重。
[0004]因此，如何提出一种可解决上述问题的清洗装置，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术的一目的在于提出一种可有解决上述问题的清洗装置。
[0006]为了达到上述目的，依据本专利技术的一实施方式提供一种清洗装置，其包括壳体、承载台、清洗液喷嘴、供气单元、抽风单元以及气阀单元。壳体具有容置空间。承载台设置于壳体内并用以转动放置于承载台上的晶圆。清洗液喷嘴朝向承载台上的晶圆。供气单元设置于壳体内并用以朝向承载台抽送气体。抽风单元用以抽离承载台周遭的气体。气阀单元用以控制气流量。
[0007]在本专利技术的一个或多个实施方式中，壳体包括上杯部及下杯部，其中上杯部及下杯部环绕承载台，抽气单元使气体沿着上杯部及下杯部之间被抽离。
[0008]在本专利技术的一个或多个实施方式中，上杯部及下杯部共同定义抽风信道，其中抽气信道环绕承载台。
[0009]在本专利技术的一个或多个实施方式中，清洗装置进一步包括控制单元，其中控制单元电性连接气阀单元，控制单元用以驱动气阀单元，使气体的第一气流量转变为不同的第二气流量。
[0010]在本专利技术的一个或多个实施方式中，清洗装置进一步包括控制单元，控制单元电性连接承载台，控制单元用以控制承载台转动，使承载台的第一转速转变为不同的第二转速。
[0011]在本专利技术的一个或多个实施方式中，清洗装置进一步包括控制单元，控制单元电性连接承载台及气阀单元，控制单元用以同时控制气阀单元及承载台，使气体的第一气流量转变为不同的第二气流量时，使承载台的第一转速转变为不同的第二转速。
[0012]在本专利技术的一个或多个实施方式中，其中第二气流量大于第一气流量，且第二转速大于第一转速。
[0013]在本专利技术的一个或多个实施方式中，清洗装置进一步包括控制单元，控制单元电
性连接清洗液喷嘴，其中控制单元用以控制清洗喷嘴，使清洗液喷嘴的第一喷洒速度转变为不同的第二喷洒速度。
[0014]本专利技术的另一目的在于提出一种可有解决上述问题的清洗方法。
[0015]依据本专利技术的一实施方式提供一种清洗方法，其包括：提供位于承载台上的晶圆；以第一转速转动晶圆并在晶圆上涂布光阻剂；以及在涂布光阻剂后，以第二转速转动晶圆并朝向晶圆的晶边喷洒清洗液体，其中第一转速与第二转速不同。
[0016]在本专利技术的一个或多个实施方式中，清洗方法还包括：在涂布光阻剂的同时，朝向承载台抽送第一气流量的气体；以及在朝向晶圆的晶边或晶背喷洒清洗液体的同时，朝向承载台抽送第二气流量的气体，其中第一气流量与第二气流量不同。
[0017]综上所述，本专利技术提供一种清洗装置及清洗方法，其可以搭配承载台的使用状况调整承载台的转速及承载台周围气体的气流量，进而能有效地对承载台上的晶圆进行加工，通过适当的调整气阀单元能有效地避免晶圆在旋转并清洗晶圆的过程中因液体和/溶液回溅至晶圆表面上的光阻剂而产生额外的缺陷。
[0018]以上所述仅是用以阐述本专利技术所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本专利技术的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。
附图说明
[0019]为达成上述的优点和特征，将参考实施方式对上述简要描述的原理进行更具体的阐释，而具体实施方式被展现在附图中。这些附图仅例示性地描述本专利技术，因此不限制专利技术的范围。通过附图，将清楚解释本专利技术的原理，且附加的特征和细节将被完整描述，其中：
[0020]图1根据本专利技术一个或多个实施方式绘示清洗装置的示意图；
[0021]图2根据本专利技术一个或多个实施方式绘示清洗装置的方块图；以及
[0022]图3根据本专利技术一个或多个实施方式绘示清洗方法的步骤图。
[0023]主要附图标记说明：
[0024]100
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清洗装置，110
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壳体，111
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上杯部，113
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下杯部，120
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承载台，130
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清洗液喷嘴，140
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供气单元，150
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抽风通道，160
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气阀单元，170
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控制单元，180
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抽风单元，190
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回收通道，200
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清洗方法，210、230、250
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步骤，F
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气体，P
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喷洒路径，R1
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转轴，W
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晶圆。
具体实施方式
[0025]以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。除此之外，为简化附图起见，一些现有惯用的结构与组件在附图中将以简单示意的方式绘示。
[0026]请参考图1，图1绘示为清洗装置100的示意图。在本专利技术的清洗装置100包括壳体110、承载台120、清洗液喷嘴130、供气单元140、150、气阀单元160以及抽风单元180。壳体110具有容置空间。承载台120设置于壳体110内并用以转动放置于承载台120上的晶圆W。清洗液喷嘴130朝向承载台120上晶圆W的晶边或晶背。供气单元140设置于壳体110内并用以朝向承载台120抽送气体F。抽风单元180(例如是抽气扇)用以抽离承载台120周遭的气体F。气阀单元160用以控制气体F的气流量。借此，本专利技术的清洗装置100在转动并清洗晶圆W的
晶边或晶背的同时，利用供气单元140、气阀单元160和/或抽风单元180控制壳体110内气体F被抽离的气流量，借以在晶圆W涂布光阻剂后能有效地避免清洗液回弹至晶圆W上表面的光阻剂，因此减少半导体工艺中晶圆W上产生不必要的缺陷，进而提升工艺良率，但本专利技术并不会以此为限。
[0027]在本专利技术的一个或多个实施方式，壳体110的容置空间与外界分隔，主要是由供气单元140及抽风单元180协同作用以扰动壳体110内的空气(例如是气体F)流动情形。壳体110包括至少部分位于壳体110内的上杯部111及下杯部113，其中上杯部111及下杯部113环绕承载台120，抽气单元180使气体F沿着上杯部111及下杯部113之间被抽离。除此之外，上杯部11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洗装置，其特征在于，包括：壳体，具有容置空间；承载台，设置于所述壳体内并用以转动放置于所述承载台上的晶圆；清洗液喷嘴，朝向所述承载台上的所述晶圆；供气单元，设置于所述壳体内并用以朝向所述承载台抽送气体；抽风单元，用以抽离所述承载台周遭的所述气体；以及气阀单元，用以控制所述气体的气流量。2.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述壳体包括上杯部及下杯部，其中所述上杯部及所述下杯部环绕所述承载台，所述抽气单元使所述气体沿着所述上杯部及所述下杯部之间被抽离。3.如权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，所述上杯部及所述下杯部共同定义抽风通道，其中所述抽气通道环绕所述承载台。4.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，进一步包括控制单元，其中所述控制单元电性连接所述气阀单元，所述控制单元用以驱动所述气阀单元，使得所述气体的第一气流量转变为不同的第二气流量。5.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，进一步包括控制单元，所述控制单元电性连接所述承载台，所述控制单元用以控制所述承载台转动，使得所述承载台的第一转速转变为不同的第二转速。6.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶永全，徐嘉祥，王瑞僧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：