半导体元件及其制备方法技术

本公开提供一种具有P

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制备方法


[0001]本申请案主张2020年12月18日申请的美国正式申请案第17/126,609号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开是关于一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。特别是有关于一种具有P
‑
N接面绝缘结构的半导体元件以及该半导体元件的制备方法。

技术介绍

[0003]半导体元件是使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸是逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的制程期间，是增加不同的问题，且如此的问题在数量与复杂度上持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。
[0004]上文的「先前技术」说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的「先前技术」说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的「先前技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

[0005]本公开的一实施例提供一种半导体元件，具有一基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一基底；一第一井层，位在该基底中并具有一第一电类型；一下导电层，位在该第一井层中并具有一第二电类型，该第二电类型与该第一电类型相反；一第一隔离层，位在该下导电层上；一绝缘遮罩层，位在该基底上并包围该第一隔离层；一第一导电线，位在该第一隔离层上；以及一偏置层，位在该第一井层中并与该下导电层间隔设置；其中该下导电层、该第一隔离层以及该第一导电线一起配置成一可编程单元。2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一第二导电线，位在该下导电层上并电性耦接到该下导电层。3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一第一导电层，位在该偏置层上并电性耦接到该偏置层。4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该偏置层具有与该第一井层相同的一电类型，以及该偏置层的一掺杂浓度大于该第一井层的一掺杂浓度。5.如权利要求4所述的半导体元件，其中在一剖视图中，该第一导电线沿着一第一方向延伸，以及该第二导电线沿着一第二方向延伸，而该第二方向垂直于该第一方向。6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该第一隔离层的一厚度介于大约30nm到大约70nm之间。7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括一第一辅助层，位在该偏置层上；其中该第一辅助层包含硅化钛、硅化镍、硅化镍铂、硅化钽或硅化钴。8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一辅助层的一厚度介于大约2nm到大约20nm之间。9.如权利要求6所述的半导体元件，还包括多个第一间隙子，位在该第一导电线的各侧壁上；其中所述第一间隙子包含不同于该第一隔离层的一介电材料。10.如权利要求6所述的半导体元件，还包括多个第二间隙子，位在该第二导电线的各侧壁上；其中所述第二间隙子包含氮化硅、氮氧化硅或氧化氮化硅。11.如权利要求6所述的半导体元件，还包括一尖部，位在该第一隔离层与该下导电层之间；其中该尖部包含硅、锗、硅锗、硅碳、硅锗碳、镓、砷化镓、砷化铟或磷化铟。12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一隔离层包括一罩盖层以及多个平坦部，该罩盖层位在该...

【专利技术属性】
技术研发人员：丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：