本公开提供一种基底处理装置及离子注入器的调整方法。该基底处理装置包含一离子注入器以及一处理器，该处理器与该离子注入器相关联。该离子注入器经配置以使用一离子束将多个离子注入到一基底中。该处理器经配置以监控该离子束的一初始注入轮廓并调整该离子注入器，以依据该初始离子轮廓以及一预期离子轮廓提供具有该预期注入轮廓的该离子束。供具有该预期注入轮廓的该离子束。供具有该预期注入轮廓的该离子束。
【技术实现步骤摘要】
基底处理装置及离子注入器的调整方法
[0001]本专利技术主张2021年2月25日申请的美国正式申请案第17/185,085号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开涉及一种基底处理装置及该基底处理装置的控制方法。尤其涉及一种离子注入器及该离子注入器的控制方法。
技术介绍
[0003]离子束注入器用于将多个掺杂物注入到硅晶片，以产出n型或p型外质材料(extrinsic materials)。多个n型及p型外质材料使用在半导体集成电路的生产。该离子束注入器将一选定的离子物质(species)注入硅晶片以产出预期的外质材料。由例如锑、砷或磷的来源材料所产出的注入离子则造成n型外质材料晶片。若是需要p型外质材料的话，则将会以例如硼、镓或铟的来源材料注入。
[0004]上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本专利技术的任一部分。
技术实现思路
[0005]本公开的一实施例提供一种基底处理装置。该基底处理装置包括一离子注入器以及一处理器，该处理器与该离子注入器相关联。该离子注入器经配置以将一离子束注入到一基底中。一处理器经配置以监控该离子束的一初始轮廓，且自动调整该离子注入器以依据该初始离子轮廓以及一预期离子轮廓提供具有该预期注入轮廓的该离子束。
[0006]在一些实施例中，手动产生多个注入参数，多个所述注入参数产生具有该初始离子轮廓的该离子束。
[0007]在一些实施例中，该处理器还经配置以建立一模型脚本，该模型脚本对应该预期离子轮廓。
[0008]在一些实施例中，该基底处理装置还包括一数据库，该数据库与该处理器相关联，并储存该模型脚本。
[0009]在一些实施例中，该处理器经由一硬线连接(hard
‑
wire connection)或一无线耦接而与该离子注入器相关联。
[0010]在一些实施例中，该处理器还经配置以确定该预期注入轮廓与至少一模型脚本之间是否存在一匹配，并依据该模型脚本匹配该预期注入轮廓而调整该离子注入器。
[0011]在一些实施例中，该处理器依据由该离子注入器的一离子束检测器(ion beam detector)、一光束分析器(beam profiler)以及一入射角检测器(incident angle detector)所测量的多个特性而得到该初始注入轮廓。
[0012]在一些实施例中，该离子注入器包括一离子源，由该处理器供电并用于离子化一
气体；一源操纵器(source manipulator)，萃取在该离子源内的多个离子以形成该离子束；一质量分析器(mass analyzer)，提供一磁场以选择用于注入正确的离子；一光束操纵器(beam manipulator)，接受离开该质量分析器的该离子束，并用于通过一磁场而操纵该离子束的一形状；以及一多极单元(multipole unit)与上/下杆，使用电力将预期的多个所述离子导向该基底。该处理器通过调整施加到该离子源、该多极单元与该上/下杆的一电位(potential)以及该质量分析器与该光束操纵器的该磁场至少其中之一，而调整该离子注入器以产生该离子束。
[0013]在一些实施例中，该质量分析器还包括一解析孔(resolving aperture)，以过滤不需要的物质。
[0014]在一些实施例中，该初始注入轮廓与该预期注入轮廓包括以下至少其中之一：离开该解析孔的一离子束电流、一注入电流以及该离子束接近支撑一基底的一注入平台的一入射角。
[0015]在一些实施例中，该离子束电流由该离子束检测器所检测，该注入电流由该光束分析器所追踪，而该离子束的该入射角由该入射角检测器所扫描。
[0016]本公开的另一实施例提供在一离子注入器中的一离子束的调整方法。该调整方法包括获得由使用一初始脚本所产生的该离子束的一初始注入轮廓；确定该初始注入轮廓是否与一预期注入轮廓匹配；若是该初始注入轮廓并未与一预期注入轮廓匹配的话，则依据该初始注入轮廓与该预期注入轮廓而自动产生一更新脚本；确定使用该更新脚本所产生的该离子束的一调整注入轮廓是否与该预期注入轮廓匹配；以及若是该更新脚本与该预期注入轮廓匹配的话，则执行一离子注入工艺以将离子注入一基底。
[0017]在一些实施例中，该调整方法还包括建立一模型脚本，该模型脚本对应该预期注入轮廓。
[0018]在一些实施例中，产生具有该初始注入轮廓的该离子束的该初始脚本为手动所产生。
[0019]在一些实施例中，产生具有该初始注入轮廓的该离子束的多个所述注入参数为手动输入。
[0020]在一些实施例中，具有该预期注入轮廓的该离子束通过执行该初始脚本所提供。
[0021]由于上述的该离子注入器的架构，可依据该初始注入轮廓以及多个模型脚本(model scripts)而自动调整该离子束，并可自动建立额外的脚本，以便提升注入的准确性(accuracy)。
[0022]上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，以使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离随附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
附图说明
[0023]参阅实施方式与权利要求合并考虑附图时，可得以更全面了解本专利技术的公开内容，附图中相同的元件符号指相同的元件。
[0024]图1是平面示意图，例示本公开一些实施例的基底处理装置。
[0025]图2是电路方块图，例示本公开一些实施例的基底处理装置。
[0026]图3是平面示意图，例示本公开一些实施例的离子注入器。
[0027]图4是电路方块图，例示本公开一些实施例的离子注入器。
[0028]图5A到图5D是电路方块图，例示本公开一些实施例的离子注入装置。
[0029]图6是流程示意图，例示本公开一些实施例离子注入器的操作方法。
[0030]附图标记如下：
[0031]10:基底处理装置
[0032]100:半导体基底
[0033]110:处理舱
[0034]112:注入平台
[0035]120:传输舱
[0036]122:机械手臂
[0037]1222:移动臂
[0038]1224:基底保持器
[0039]130:输入/输出舱
[0040]140a:闸阀
[0041]140b:闸阀
[0042]150:控制器
[0043]160:真空装置
[0044]20:离子注入器
[0045]200:离子束
本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基底处理装置，包括：一离子注入器，使用一离子束将多个离子注入到一基底中；以及一处理器，与该离子注入器相关联并经配置以监控该离子束的一初始离子轮廓，且自动调整该离子注入器以依据该初始离子轮廓以及一预期离子轮廓提供具有该预期注入轮廓的该离子束。2.如权利要求1所述的基底处理装置，其中手动产生多个注入参数，多个所述注入参数产生具有该初始离子轮廓的该离子束。3.如权利要求1所述的基底处理装置，其中该处理器还经配置以建立一模型脚本，该模型脚本对应该预期离子轮廓。4.如权利要求3所述的基底处理装置，还包括一数据库，该数据库与该处理器相关联，并储存该模型脚本。5.如权利要求4所述的基底处理装置，其中该处理器经由一硬线连接或一无线耦接而与该离子注入器相关联。6.如权利要求1所述的基底处理装置，其中该处理器还经配置以确定该预期注入轮廓与至少一模型脚本之间是否存在一匹配，并依据该模型脚本匹配该预期注入轮廓而调整该离子注入器。7.如权利要求1所述的基底处理装置，其中该处理器依据由该离子注入器的一离子束检测器、一光束分析器以及一入射角检测器所测量的多个特性而得到该初始注入轮廓。8.如权利要求7所述的基底处理装置，其中该离子注入器包括：一离子源，由该处理器供电并用于离子化一气体；一源操纵器，萃取在该离子源内的多个离子以形成该离子束；一质量分析器，提供一磁场以选择用于注入的多个所述离子；一光束操纵器，接受离开该质量分析器的该离子束，并用于通过一磁场而操纵该离子束的一形状；以及一多极单元与上/下杆，使用电力将预期的多个所述离子导向该...
【专利技术属性】
技术研发人员：温炫博，陈松辉，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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