半导体装置及其制备方法制造方法及图纸

本公开涉及一种半导体装置与其制备方法。该半导体装置包括设置于一半导体基底之上的一第一介电层，及设置于该第一介电层之上的一第一电极。该半导体装置亦包括设置于该第一电极之上的一熔丝链，及设置于该熔丝链之上的一第二电极。该半导体装置还包括相邻设置于该第一电极的一第三电极，及将该第一电极自该第一介电层与该第三电极分开的一第二介电层。该第一电极、该熔丝链、及该第二电极形成一熔丝结构，而该第一电极、该第三电极、及该第二介电层位于该第一电极与该第三电极之间的一部分形成一反熔丝结构。成一反熔丝结构。成一反熔丝结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制备方法
[0001]交叉引用
[0002]本公开主张2020年11月23日申请的美国正式申请案第17/101,281号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开涉及一种半导体装置及其制备方法。更具体地，本公开涉及一种相邻导线之间具有气隙的半导体装置与其制备方法。

技术介绍

[0004]集成电路(IC)装置通常在制备过程中设置所有内部连接。然而，由于生产集成电路的高研发成本、长制造时间、及高制备设备成本，从业者通常希冀电路可被设置或编程。上述电路被称为可编程电路，且其通常包含可编程链。可编程链为在IC装置被制造和封装之后，由从业者在选定的电子节点处断开或建立的电连接线路，以激活或停用相应的选定的电子节点。
[0005]一种类型的可编程链为熔丝结构。可编程链在IC装置内通过于选定的交叉点处熔断熔丝结构而被编程，以建立一通路。已熔断和未熔断链的组合代表一和零的数字模式，其表示从业者希望存储在IC装置中的数据。另一种类型的可编程链为反熔丝结构。与在具有熔丝结构的情况下导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一第一介电层，设置于一半导体基底之上；多个导电线，设置于该第一介电层之上；一第一电极，设置于该第一介电层之上，且所述多个导电线包括一熔丝线相邻于该第一电极；及一第二介电层，将该第一电极与该熔丝线分开，其中该第一电极、该熔丝线、及该第二介电层位于该第一电极与该熔丝线之间的一部分形成一反熔丝结构。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个导电线被一实质上相等的空间分开，且该熔丝线与该第一介电层直接接触。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该熔丝线被该第二介电层所覆盖。4.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一电极于剖面视角中具有一瓶状轮廓。5.如权利要求4所述的半导体装置，还包括一熔丝链及一第二电极，该熔丝链设置于该第一电极之上，该第二电极设置于该熔丝链之上，其中该第一电极与该熔丝链被该第二介电层所围绕。6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该第二电极的一下部部分被该第二介电层所围绕。7.如权利要求5所述的半导体装置，其中该第一电极具有一第一宽度，该熔丝链具有一第二宽度，及该第二电极具有一第三宽度，其中该第三宽度大于该第一宽度，且该第一宽度大于该第二宽度。8.一种半导体装置，包括：一第一介电层，设置于一半导体基底之上；多个导电线，其包括一第一导电线与一第二导电线，其设置于该第一介电层之上且彼此互相平行延伸，其中所述多个导电线被以一实质上相等的空间分开；一第二介电层，设置于该第一导电线与该第二导电线之间，其中该第一导电线与该第二导电线被该第二导电线所覆盖；一第三介电层，设置于该第二介电层之上，其中该第三介电层具有与该第二介电层不同的蚀刻选择性；一第一电极，设置于该第一导电线与该第二导电线之间，其中该第一电极具有一瓶状轮廓，且该第一电极通过该第二介电层与该第一介电层分开；及一第二电极，设置于该第一电极之上，其中该第二电极自该第二介电层延伸至该第三介电层。9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该第一电极、该第一导电线、及该第二介电层夹置于该第一电极与该第一导电线之间的一部分形成一反熔丝结构。10.如权利要求9所述的半导体装置，还包括：一熔丝链，设置于该第一电极与该第二电极之间，其中该...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆玲，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：