具有去耦合单元的半导体元件及其制备方法技术

本公开提供一种具有一去耦合单元的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底，包括一阵列区以及一周围区，该周围区邻近该阵列区设置；一第一去耦合单元，位于该基底的该周围区中；一存储单元，位于该基底的该阵列区中；一重分布结构，位于该基底的该周围区与该阵列区上；一中间隔离层，位于在该周围区中的该重分布结构上；以及一上导电层，位于该中间隔离层上。在该周围区上的该重分布结构、该中间隔离层以及该上导电层一起配置成一第二去耦合单元。二去耦合单元。二去耦合单元。

【技术实现步骤摘要】
具有去耦合单元的半导体元件及其制备方法
[0001]交叉引用
[0002]本公开主张2020年12月1日申请的美国正式申请案第17/108,736号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开涉及一种半导体元件以及其制备方法。特别涉及一种具有一去耦合单元的半导体元件以及其制备方法。

技术介绍

[0004]半导体元件使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的工艺期间，增加不同的问题，且如此的问题在数量与复杂度上持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。
[0005]上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

技术实现思路

[0006]本公开的一实施例提供一种半导体元件，具有一基底，包括一阵列区以及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一基底，包括一阵列区以及一周围区，该周围区邻近该阵列区设置；一第一去耦合单元，位于该基底的该周围区中；一存储单元，位于该基底的该阵列区中；一重分布结构，位于该基底的该周围区与该阵列区上；一中间隔离层，位于在该周围区上的该重分布结构上；以及一上导电层，位于该中间隔离层上；其中，在该周围区上的该重分布结构、该中间隔离层以及该上导电层一起配置成一第二去耦合单元。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一去耦合单元与该存储单元为多个沟槽电容器。3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一去耦合单元包括一内导电层，位于该基底中；一埋入板，围绕该内导电层的一下部设置；一电容器介电层，位于该内导电层的该下部与该埋入板之间；一带状导电层，位于该内导电层上；一覆盖隔离层，位于该带状导电层上；以及一接头部，位于邻近该带状导电层处。4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该内导电层包括一下部以及一环部，该下部被该埋入板所围绕，该环部位于该下部上，而该带状导电层位于该环部上。5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该接头部与该带状导电层具有相同的导电类型。6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括一凹陷环形介电层，围绕该内导电层的该环部的一下部设置。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该凹陷环形介电层包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化氮化硅。8.如权利要求7所述的半导体元件，还包括一第一切换单元，位于该基底的该周围区上，并位于邻近该第一去耦合单元的该接头部处，其中，该第一切换单元与该第一去耦合单元为电性耦接。9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该中间隔离层的一厚度介于大约5nm到大约100nm之间。10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该中间隔离层包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化氮化硅、氧化铪、氧化硅铪、氮氧化硅铪、氧化镧、氧化镧铝、氧化锆、氧化硅锆、氮氧化硅锆、氧化铝或其组合。11.如权利要求10所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，施信益，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：