具有可编程单元的半导体元件及其制备方法技术

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括：一基板；一第一导电层，位于该基板上方；一底部导电层，位于该第一导电层上方并电性耦合至该第一导电层；一可编程绝缘层，位于该底部导电层上；一顶部导电层，位于该可编程绝缘层上；以及一重分布结构，位于该第一导电层上方并电性耦合至该第一导电层。该底部导电层、该可编程绝缘层、和该顶部导电层一起构成一可编程单元。起构成一可编程单元。起构成一可编程单元。

【技术实现步骤摘要】
具有可编程单元的半导体元件及其制备方法
[0001]交叉引用
[0002]本公开主张2020年11月30日申请的美国正式申请案第17/107,001号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开涉及一种半导体元件及其制备方法。特别涉及一种具有可编程单元的半导体元件及其制备方法。

技术介绍

[0004]半导体元件已运用在各种电子应用上，像是个人电脑、手机、数码相机、以及其他的电子设备。半导体元件的尺寸不断微缩化，以满足对不断增长的计算能力的需求。但是，在微缩化的工艺期间会出现各种问题，这些问题不断地增加。因此，在提高品质、产率、性能和可靠性以及降低复杂度方面仍然存在挑战。
[0005]上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不形成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应做为本公开的任一部分。

技术实现思路

[0006]本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括：一基板；一第一导电层，位于该基板上方；一底部导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一基板；一第一导电层，位于该基板上方；一底部导电层，位于该第一导电层上方并电性耦合至该第一导电层；一可编程绝缘层，位于该底部导电层上；一顶部导电层，位于该可编程绝缘层上；以及一重分布结构，位于该第一导电层上方并电性耦合至该第一导电层；其中该底部导电层、该可编程绝缘层、和该顶部导电层一起构成一可编程单元。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该底部导电层和该重分布结构处于一相同的垂直水平。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该底部导电层和该可编程绝缘层具有一相同的宽度。4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该可编程绝缘层的一宽度等于或大于该底部导电层的一宽度。5.如权利要求3所述的半导体元件，还包括一尖峰部分，位于该底部导电层上，其中该可编程绝缘层位于该底部导电层和该尖峰部分上。6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该重分布结构的一垂直水平高于该可编程单元的一垂直水平。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该重分布结构包括一重分布导电层和一热释放层，该重分布导电层位于该第一导电层上方并电性耦合至该第一导电层，且该热释放层位于该重分布导电层上。8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该重分布导电层包括一种子层和一电镀层，该种子层位于该第一导电层上方并电性耦合至该第一导电层，且该电镀层位于该种子层上。9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该热释放层包括一有机材料，其与多个纳米碳管间隙地混合。10.如权利要求8所述的半导体元件，其中该热释放层包括一氟聚合物材料，其与多个纳米碳管间隙地混合。11.如权利要求9所述的半导体元件，其中该些纳米碳管的一深宽比介于约1:1到约1:100之间。12.如权利要求11所述的半导体元件，还包括一障壁层，位于该重分布导电层之下，其中该障壁层包括钛、氮化钛、氮化硅钛、钽、氮化钽、氮化硅钽、或前述的组合。13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该障壁层的一厚度介于约10埃到约15埃之间。14.如权利要求13所述的半导体元件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈德荫，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：