本发明公开了一种低压降稳压器及其控制方法，低压降稳压器包含放大器、第一晶体管、第二晶体管以及交换器。第二晶体管耦接于放大器以及第一晶体管。交换器耦接于第一晶体管，其中当低压降稳压器的供电电压值低于供电电压阈值，交换器的第一路径被选择且第...

一种内存单元包括半导体基板、晶体管及第一反熔丝结构。晶体管位于半导体基板上方。第一反熔丝结构位于半导体基板上方且相邻于晶体管，并包括第一端与第二端。第一反熔丝结构的第一端位于半导体基板内且横向环绕晶体管。第一反熔丝结构的第二端位于第一反...

一种半导体结构包括沟槽电容、堆叠电容、第一电极板及第二电极板。沟槽电容设置于基板中，其中沟槽电容包括第一导电结构和第一介电结构，其中第一导电结构接触该第一介电结构。堆叠电容包括第二导电结构及第二介电结构，第二导电结构接触第二介电结构，其...

一种电容结构包括基板、复数个柱电容以及氧化层。柱电容位于基板的顶表面上并形成电容阵列。氧化层覆盖电容阵列的顶部与侧部以及基板的部分。柱电容沿第一方向延伸，基板的顶表面沿第二方向延伸，其中第一方向垂直于第二方向。氧化层从电容阵列的顶部沿第...

反熔丝结构包括主动区、栅极电极及介电层。栅极电极位于主动区上方，其中栅极电极呈环状，并且栅极电极的一部分在垂直投影方向上与主动区的一部分重叠，且主动区的该部分的掺质浓度高于主动区的另一部分的掺质浓度。介电层夹设在主动区的该部分与栅极电极...

本公开提出一种具有一测试结构的半导体结构。该半导体结构包括一半导体基底、一存储器元件以及一测试结构。该存储器元件经设置在该半导体基底上，且具有一元件区域以及一边缘区域。该边缘区域包围该元件区域。该测试结构经设置在该半导体基底上，且包括一...

一种凹陷存取装置的制造方法包含以下操作。形成沟槽于基板中。通过氧化沟槽的内表面以在基板内形成栅极氧化层。形成第一栅极层于沟槽的底部中，其中在第一栅极层之上的栅极氧化层的一部分从沟槽中暴露。形成第二栅极层于沟槽中以覆盖第一栅极层和栅极氧化...

一种标准单元建立方法，包含以下步骤：设定第一植入物分离案例；依据该第一植入物分离案例取得复数个特征参数；套用该些特征参数至装置延迟比对模式以取得速度参数；若该速度参数优于先前速度参数，优化通道参数；以及若该通道参数优化成功，建立标准单元...

本公开提供一种可程序化存储器元件。该可程序化存储器元件包括一主动区、一栅极结构以及一反熔丝储存单元。该主动区形成在一基底中并具有一线性顶视形状。该栅极结构设置在该基底上并具有一线性部，该线性部与该主动区的一区段交叉，该区段远离该主动区的...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一垫氧化物层、一硬遮罩层、一绝缘层、一第一介电层以及一衬垫层；该垫氧化物层位在该基底上；该硬遮罩层位在该垫氧化物层上；该绝缘层位在沿着该硬遮罩层与该垫氧化物层处并...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：在一基底中形成一主动区，其中该主动区具有一线性的顶视图形状；在该基底上形成一栅极结构，其中该栅极结构具有与该主动区的一部分相交的一线性部分，其中该部分是远离该主动区的一端部；在该基底上...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一堆叠栅极结构、一第一间隙子以及一第二间隙子，该堆叠栅极结构设置在一半导体基底上，该第一间隙子设置在该堆叠栅极结构两侧，该第二间隙子设置在该第一间隙子两侧，其中该第一间隙子具有一石墨...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有二栅极结构、一第一导体、一阻障、一第二导体以及多个气隙。该二栅极结构位在一半导体材料基底的一表面上。该第一导体设置在该二栅极结构之间。该阻障设置在该第一导体与该栅极结构之...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一介电层、一栓塞以及一导电聚合物的着陆垫；该介电层设置在该基底上；该栓塞设置在该介电层中；该导电聚合物的着陆垫设置在该介电层上。该方法包括：提供一基底；形成具有一...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一第一栅极结构以及一第一源极/漏极区，该第一栅极结构设置在一半导体基底上，该第一源极/漏极区设置在该半导体基底中，且邻近该第一栅极结构设置。该半导体元件亦具有一第一硅化物层以及一石墨...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一第一基底、一埋入介电层、一埋入导电层、一埋入罩盖层以及多个埋入覆盖层；该埋入介电层朝内位在该第一基底中；该埋入导电层具有一下部以及一上部，该下部位在该埋入介电层上，该上部位在该下部...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，形成半导体结构的方法包括以下步骤。在基板中形成半导体材料结构。在半导体材料结构上形成第一垫层。蚀刻第一垫层与半导体材料结构，以形成沟槽。在半导体材料结构的侧壁上执行氧化工艺，以在半导体结构的侧壁上...

本发明公开了一种验证硬后封装修复的系统与方法及计算机可读存储介质，其中验证硬后封装修复的方法，方法包括以下步骤：将预设数据背景写入挥发性存储器的部分阵列中；从挥发性存储器的部分阵列的目标列中读取第一数据；使挥发性存储器对目标列执行硬后封...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括第一晶圆、第二晶圆、阻障层、连通道以及导电材料。第一晶圆具有导电垫。第二晶圆设置重叠于第一晶圆并包括对准导电垫的穿孔。穿孔的内壁与导电垫相接。阻障层覆盖穿孔的内壁。阻障层包括底部。底...

一种制造半导体结构的方法包括：提供衬底及目标层设置于衬底上方，目标层具有中央区域及周边区域；在中央区域内形成复数个线形鳍特征，其中复数个线形鳍特征相互平行并分别具有不均匀边缘部；以及移除线形鳍特征的不均匀边缘部并得到均匀线形鳍特征，进而...