半导体元件及其制备方法技术

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一堆叠栅极结构、一第一间隙子以及一第二间隙子，该堆叠栅极结构设置在一半导体基底上，该第一间隙子设置在该堆叠栅极结构两侧，该第二间隙子设置在该第一间隙子两侧，其中该第一间隙子具有一石墨烯(graphene)。(graphene)。(graphene)。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制备方法


[0001]本申请案主张2020年8月18日申请的美国正式申请案第16/996,151号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开是关于一种半导体元件及其制备方法。特别是有关于一种具有石墨烯基元素(graphene
‑
based element)的半导体元件以及其制备方法。

技术介绍

[0003]对于许多现代应用，半导体元件是不可或缺的。举例而言，半导体元件是广泛地运用在各种电子应用中，例如个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子设备。再者，随着电子科技的进步，半导体元件的尺寸变得越来越小，于此同时提供较佳的功能以及包含较大的集成电路数量。然而，随着半导体元件的按比例缩小，相邻导电元件之间的间隔是逐渐缩小，其是可缩减内连接结构的制程裕度(process window)。因此，在半导体元件中制造内连接结构则越来越困难。因此，在提高品质、良率、效能以及可靠性以及降低复杂性的方面仍持续存在挑战性。
[0004]上文的「先前技术」说明仅是提供
技术介绍
，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一堆叠栅极结构，设置在一半导体基底上；一第一间隙子，设置在该堆叠栅极结构两侧；以及一第二间隙子，设置在该第一间隙子两侧，其中该第一间隙子具有一石墨烯。2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一多孔间隙子，设置在该第一间隙子与该第二间隙子之间。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该多孔间隙子是具有约30％与约90％的孔隙率。4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该堆叠栅极结构包括：一介电层，设置在该半导体基底上；一底部电极层，设置在该介电层上；一顶部电极层，设置在该底部电极层上；以及一罩盖层，设置在该顶部电极层上。5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该堆叠栅极结构还包括一第一中间电极层，设置在该底部电极层与该顶部电极层之间。6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该堆叠栅极结构还包括一第二中间电极层，设置在该第一中间电极层与该顶部电极层之间。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该第一中间电极层的厚度是约2nm与约20nm。8.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一气隙间隙子，设置在该第一间隙子与该第二间隙子之间。9.一种半导体元件的制备方法，包括：提供一半导体基底；形成一堆叠栅极结构在该半导体基底上；形成一第一间隙子在该堆叠栅极结构侧壁上，其中该第一间隙子包括石墨烯；形成一牺牲间隙子在该第一间隙子侧壁上；以及形成一第二间隙子在该牺牲间隙...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：