温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一堆叠栅极结构、一第一间隙子以及一第二间隙子，该堆叠栅极结构设置在一半导体基底上，该第一间隙子设置在该堆叠栅极结构两侧，该第二间隙子设置在该第一间隙子两侧，其中该第一间隙子具有一石墨烯(...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。