横向扩散的MOSFET及其制造方法技术

本公开涉及横向扩散的MOSFET及其制造方法。一种半导体器件包括具有第一导电类型的第一半导体区域和具有第二导电类型的第二半导体区域、第二半导体区域中的源极区域和体接触区域。该半导体器件还包括在第二半导体区域中，横向位于源极区域和第一半导体区域之间的沟道区域、覆盖于沟道区域和第一半导体区域的一部分两者之上的栅极电介质层以及覆盖于栅极电介质层之上的栅极电极。半导体器件还包括覆盖体接触区域的上表面和源极区域的侧表面的共形导电层。的共形导电层。的共形导电层。

【技术实现步骤摘要】
横向扩散的MOSFET及其制造方法


[0001]本公开涉及横向扩散的MOSFET及其制造方法。

技术介绍

[0002]LDMOS(横向扩散的金属氧化物半导体)是用于放大器(包括微波 功率放大器、RF功率放大器和音频功率放大器)的平面型双扩散的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。开发了各种技术来改善 LDMOS器件的性能或改善用于制造LDMOS器件的制造工艺。
附图说明
[0003]当结合附图阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本公开的各方 面。注意，根据工业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为 了清楚起见，各种特征的尺寸可以任意增大或减小。
[0004]图1是根据一些实施例的集成电路(IC)器件的截面图。
[0005]图2是根据一些实施例的制造IC器件的方法的流程图。
[0006]图3A-图3L是根据一些实施例的IC器件的各种制造阶段的截面图。
[0007]图4A-图4C是根据一些实施例的LDMOS器件的截面图。
[0008]图5是根据一些实施例的IC器件的制造方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型；第二半导体区域，所述第二半导体区域具有第二导电类型；源极区域，所述源极区域在所述第二半导体区域中；沟道区域，所述沟道区域在所述第二半导体区域中，横向位于所述源极区域和所述第一半导体区域之间；栅极电介质层，所述栅极电介质层覆盖于所述沟道区域和所述第一半导体区域的一部分两者之上；栅极电极，所述栅极电极覆盖于所述栅极电介质层之上；体接触区域，所述体接触区域在所述第二半导体区域中；以及共形导电层，所述共形导电层覆盖所述体接触区域的上表面和所述源极区域的侧表面。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：接触插塞，所述接触插塞穿过电介质隔离层连接到所述共形导电层。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述共形导电层是金属硅化物层。4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：漏极区域，所述漏极区域在所述第一半导体区域中。5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：隔离区域，所述隔离区域在所述第一半导体区域中，横向位于所述漏极区域和所述第二半导体区域之间。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：间隔件，所述间隔件覆盖于所述源极区域之上，具有与所述栅极电极横向相邻的第一侧和垂直对准所述源极区域的侧表面的第二侧。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述体接触区域具有垂直对准所述源极区域的侧表面的第一侧。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述体接触区域的上表面从所述源极区域的顶表面凹陷，深度小于所述源极区域的顶表面与所述源极区域的底表面之间的距离。9.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成覆盖于栅极电介质层之上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈正龙，
申请(专利权)人：台积电中国有限公司，
类型：发明
国别省市：