一种VDMOS芯片及其电路应用结构制造技术

本申请涉及一种VDMOS芯片及其电路应用结构，包括半导体基座，半导体基座分为源区、漂移区和基体区，源区上贯穿设置有沟槽，且沟槽贯穿漂移区并延伸到基体区中，源区和基体区极性相同，源区和漂移区极性相反；基体区远离漂移区的一侧设置有漏极金属层，源区远离漂移区的一侧设置有源极金属层；沟槽内设置有栅极金属层，栅极金属层与沟槽内壁之间设置有绝缘层；栅极金属层上设置有屏蔽层，屏蔽层的两端分别延伸至沟槽两侧的源区上；栅极金属层上设置有栅极引出线，栅极引出线穿设在屏蔽层上且端部位于屏蔽层外。本申请具有消除VDMOS芯片内部高速开关引起的高频谐振从沟槽中辐射至外界，减小对外围电路的电磁干扰的效果。减小对外围电路的电磁干扰的效果。减小对外围电路的电磁干扰的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种VDMOS芯片及其电路应用结构


[0001]本申请涉及半导体器件领域，尤其是涉及一种VDMOS芯片及其电路应用结构。

技术介绍

[0002]目前在单端反激开关电路中，采用了输出直流电压隔离取样反馈外回路, 通过开关电源的PWM迅速调整脉冲占空比,达到稳定输出电压的目的。
[0003]在次级传统SRFET器件中，开关速度普遍超过100KHZ，次级同步整流面临严重的电磁干扰问题。而且驱动IC到MOS管栅极之间存在较长的PCB布线，会引入纳亨级别的等效电感；PCB布线、MOS管栅极以及地线之间也会存在皮法级别的等效电容，从而形成显著的LC高频谐振，MOS管的性能变差，次级同步整流输出电压不稳定。

技术实现思路

[0004]为了消除或者减缓次级同步整流中遇到的高频谐振，本申请提供一种VDMOS芯片及其电路应用结构。
[0005]一方面，本申请提供的一种VDMOS芯片，采用如下的技术方案：
[0006]一种VDMOS芯片，包括半导体基座，所述半导体基座分为源区、漂移区和基体区，所述源区上贯穿设置有沟槽，且所述沟槽贯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种VDMOS芯片，其特征在于：包括半导体基座(1)，所述半导体基座(1)分为源区(11)、漂移区(12)和基体区(13)，所述源区(11)中贯穿设置有沟槽(111)，且所述沟槽(111)贯穿所述漂移区(12)并延伸到所述基体区(13)中，所述源区(11)和所述基体区(13)极性相同，所述源区(11)和所述漂移区(12)极性相反；所述基体区(13)远离所述漂移区(12)的一侧设置有漏极金属层(14)，所述源区(11)远离所述漂移区(12)的一侧设置有源极金属层(15)；所述沟槽(111)内设置有栅极金属层(16)，所述栅极金属层(16)与所述沟槽(111)内壁之间设置有绝缘层(17)；所述栅极金属层(16)上设置有屏蔽层(18)，所述屏蔽层(18)的两端分别延伸至所述沟槽(111)两侧的源区(11)上；所述栅极金属层(16)上设置有栅极引出线(161)，所述栅极引出线(161)穿设在所述屏蔽层(18)上且端部位于所述屏蔽层(18)外。2.根据权利要求1所述的VDMOS芯片，其特征在于：所述基体区(13)包括衬底层(131)和外延层(132)，所述外延层(132)设置在所述衬底层(131)和所述漂移区(12)之间，所述沟槽(111)延伸至所述外延层(132)。3.根据权利要求1所述的VDMOS芯片，其特征在于：所述源区(11)远离所述沟槽(111)的一侧设置有截止区(19)，且所述截止区(19)与所述漂移区(...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正友，任炜强，谢文华，
申请(专利权)人：深圳真茂佳半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：