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本申请涉及一种VDMOS芯片及其电路应用结构，包括半导体基座，半导体基座分为源区、漂移区和基体区，源区上贯穿设置有沟槽，且沟槽贯穿漂移区并延伸到基体区中，源区和基体区极性相同，源区和漂移区极性相反；基体区远离漂移区的一侧设置有漏极金属层，源...
该专利属于深圳真茂佳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳真茂佳半导体有限公司授权不得商用。

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