半导体元件的制备方法技术

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：在一基底中形成一主动区，其中该主动区具有一线性的顶视图形状；在该基底上形成一栅极结构，其中该栅极结构具有与该主动区的一部分相交的一线性部分，其中该部分是远离该主动区的一端部；在该基底上形成一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中该第一绝缘层是横向包围该栅极结构，且被该第二绝缘层覆盖；形成一开口，贯穿该第一绝缘层以及该第二绝缘层且曝露该主动区的一部分，其中该开口与该栅极结构横向间隔开；以及在该开口中依序形成一介电层及一电极。层及一电极。层及一电极。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的制备方法


[0001]本申请案主张2020年8月10日申请的美国正式申请案第16/989,238号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开是关于一种半导体元件的制备方法。特别是有关于一种具有一次编程(one
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programmable)的存储器元件的半导体元件的制备方法。

技术介绍

[0003]非易失性存储器元件即使在切断电源的情况下也可保留数据。依据程式的时间，非易失性存储器元件可还可分为多次可编程(multi
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programmable，MTP)存储器元件与一次编程(one
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programmable，OTP)存储器元件。使用者可对MTP存储器元件进行多次编程，以修改存储在MTP存储器元件的数据。另一方面，OTP存储器元件仅可被编程一次，且无法修改存储在OTP存储器元件中的数据。
[0004]此外，OTP存储器元件可分为熔丝型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制备方法，包括：在一基底中形成一主动区，其中该主动区具有一线性的顶视图形状；在该基底上形成一栅极结构，其中该栅极结构具有与该主动区的一部分相交的一线性部分，其中该部分是远离该主动区的一端部；在基底上形成一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中该第一绝缘层是横向包围该栅极结构，且被该第二绝缘层覆盖；形成一开口，贯穿该第一绝缘层以及该第二绝缘层且曝露该主动区的一部分，其中该开口与该栅极结构横向间隔开；以及在该开口中依序形成一介电层及一电极。2.如权利要求1所述的制备方法，还包括：在该主动区形成前在该基底中形成一隔离结构，其中该主动区由该隔离结构横向包围。3.如权利要求1所述的制备方法，还包括：在该栅极结构形成后，形成覆盖该栅极结构侧壁的一栅极间隙子。4.如权利要求1所述的制备方法，还包括：在该主动区形成一掺杂区，该掺杂区是在该栅极间隙子形成后且在该第一绝缘层、该第二绝缘层形成前，通过该栅极结构与该栅极间隙子做为一遮罩形成。5.如权利要求4所述的制备方法，其中该开口与该掺杂区中的一个重叠。6.如权利要求1所述的制备方法，其中该栅极结构是环形。7.如权利要求6所述的制备方法，其中该主动区的该端部中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆玲，蔡镇宇，杨承翰，陈奕儒，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：